发明专利已授权

一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通和门极反向过压的驱动电路及其控制方法

📄 申请号：CN202111093950.X 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2021-09-17

公开号

CN113991996B

公开日

2025-03-25

申请人

闽南理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H02M1_38

IPC 分类号

H02M1_38 , H02M1_08 , H02M1_32 ,

技术画像

所属领域

控制方法功率半导体器件栅极驱动电路电力电子技术控制方法

应用场景

高频开关电源, 数据中心服务器电源, 新能源发电逆变器, 电动汽车车载电源, 快充适配器

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摘要

本发明涉及电力电子领域，尤其是涉及的是一种抑制GaN HEMT半桥串扰导通和门极反向过压的驱动电路，该上桥臂电路包括第一驱动电路、第一低阻抗桥臂串扰抑制电路，该下桥臂电路包括第二驱动电路、第二低阻抗桥臂串扰抑制电路。该电路从减小处于关断状态的GaN HEMT门极关断回路阻抗的角度出发，在不影响GaN HEMT正常关断速度和不采用负压关断增加反向过压的前提下，抑制了门极反向过冲的产生。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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