发明专利 已授权

一种LiSc1-xLuxGeO4:Ln3+,Eu3+光存储材料及其制备方法和应用

📄 申请号:CN202310125523.8 📄 发布日:2026/05/07

著录项目信息

申请日
2023-02-16
公开号
CN116103045B
公开日
2023-12-29
申请人
华侨大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

光信息存储, 数据存储, 光学存储, 防伪标识, 显示技术

摘要

本发明属于长余辉发光材料的技术领域,公开了一种经掺杂的LiSc1‑xLuxGeO4光存储材料及其制备方法,其化学通式为LiSc1‑xLuxGeO4:yLn3+,zEu3+(Ln=Tb,Pr,or Bi);其制备方法是根据元素摩尔比Li:Sc:Lu:Ge:O:Ln:Eu=1:1‑x:x:1:4:y:z,0≤x≤1,0.0001≤y≤0.02;0.0001≤z≤0.02;分别称取相应化合物原料,混合均匀后,在氧化性气氛下于1050~1350℃进行高温处理,得到光存储材料。本发明的光存储材料不仅可以存储254nm紫外光,还可以实现对X射线的存储,可应用于X射线、信息存储以及光学防伪等领域。本发明的方法简单,易实现量产。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

议价
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