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一种三元半导体材料外延生长数值模拟方法

📄 申请号：CN202410710506.5 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2024-06-03

公开号

CN118315002B

公开日

2024-10-11

申请人

华侨大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G16C60_00

IPC 分类号

G16C60_00 , G06F30_20 , G06T17_00 , G06F111_10 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料外延生长技术数值模拟与仿真

应用场景

半导体制造, 集成电路, 光电材料与器件, 化合物半导体外延

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摘要

一种三元半导体材料外延生长数值模拟方法，包括以下步骤：S1 建立三元半导体化合物外延生长耦合相场模型，简称三元相场模型，所述的三元半导体化合物包括第一组分、第二组分、第三组分；S2 向三元相场模型中输入各参数信息，计算所述的三元相场模型#imgabs0#时刻的数值解；S3 对计算出来的三元相场模型#imgabs1#时刻的数值解利用半隐积分延迟校正算法进行后处理，得到高阶时间精度的三元相场模型#imgabs2#时刻校正数值解；本发明利用数值模拟进行仿真，可以在不需要消耗任何原材料的情况下，实现晶体生长全过程实时监测并可以灵活变动组分配比，为制备高性能、高质量单晶材料提供重要参考指导。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

一种用于滩涂污染土修复的CSGP试剂制备装置

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