发明专利 已授权

半导体设备的温控方法、装置、设备及存储介质

📄 申请号:CN202510175195.1 📄 发布日:2026/05/07

著录项目信息

申请日
2025-02-18
公开号
CN119645161B
公开日
2025-05-27
申请人
深圳联钜自控科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体制造, 晶圆加工, 集成电路制造, 设备温度管理

摘要

本发明涉及一种半导体设备的温控方法、装置、设备及存储介质。该方法:对半导体设备的多个温控区域进行有限元网格划分及模态坐标变换,得到温控区域动态模型;采集温度传感器测量数据并进行时频域变换,生成温度预测数据序列;进行高斯混合建模得到先验分布,得到温度参数概率分布;对温度控制范围进行子域划分,得到温度域间特征映射矩阵;基于温控区域动态模型计算温区间热耦合系数矩阵,结合温度预测数据序列与温度域间特征映射矩阵构建温度控制目标函数,采用模型预测控制算法求解得到温度控制量序列。本发明提高了温度控制的精确性和动态响应速度,保证了温度控制的稳定性和能源利用效率。

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是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN119645161B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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