发明专利已授权

一种碳量子点荧光材料的制备方法

📄 申请号：CN201710977580.3 📄 发布日：2026/05/12

著录项目信息

申请日

2017-10-19

公开号

CN107573932B

公开日

2020-04-24

申请人

三峡大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C09K11_65

IPC 分类号

C09K11_65 , C01B32_15 , B82Y20_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

碳量子点纳米材料荧光材料材料制备碳量子点

应用场景

生物成像, 光电器件, 化学传感, 防伪标记, 荧光检测

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摘要

本发明提供了一种碳量子点荧光材料的制备方法。该方法利用等离子增强化学气相沉积技术，通过控制沉积参数，在玻璃基板上交替沉积氢化的碳化硅薄膜(SiCX:H)和氢化的氮化碳薄膜(CNX:H)，然后经过250‑350℃在真空炉中退火，嵌有碳量子点的荧光材料便制备完成。该种制备方法相比于涂覆或基体附着的制备方法不仅省去了高效荧光碳量子点的制备环节，而且荧光碳量子点和多层膜结构浑然一体，薄膜中的氢还可以有效的钝化薄膜中的缺陷，显著提高材料的荧光效率。经过此方法制备的碳量子点荧光材料具有荧光性能稳定，发光效率高，且制备方法简单、绿色环保，故可以很好的应用在各种半导体发光器件中。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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