发明专利已授权

一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件

📄 申请号：CN202210105595.1 📄 发布日：2026/08/24

著录项目信息

申请日

2022-01-28

公开号

CN114649404B

公开日

2025-09-09

申请人

杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10D62_10

IPC 分类号

H10D62_10 , H10D64_23 , H10D64_27 , H10D30_47 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

5G通信, 无线基站, 雷达系统, 射频前端, 卫星通信

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摘要

本发明公开了一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件，包括依次设置的衬底层、缓冲层、沟道层、阻挡层、保护层，在保护层的上方设置源极、栅极和漏极；其中，所述保护层形成L形槽，所述源极设置在L形槽的顶部使源极端口和栅极端口在水平空间上相互错开。采用本发明的技术方案，将保护层做成一个L形槽，使得源极端口往竖直方向抬升，达到Source端口的底部与Gate端口的顶端齐平，从而根本上消除了Cgs的存在，Δ随着输出功率增加时，Cgs不再影响Δ值的变化，从而缓解了Δ值远离0的趋势，有效的改善了器件线性度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种用于超深水平钻孔的滑轮式取心钻具

当前第 / 件

低功耗高瞬态响应无片外电容低压差线性稳压器

同领域国内专利 · IPC: (H10D62_10)

H10D62_10 H10D62_17 H10D62_40 覆盖3个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：2 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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