发明专利已授权

低功耗高瞬态响应无片外电容低压差线性稳压器

📄 申请号：CN202210485274.9 📄 发布日：2026/08/24

著录项目信息

申请日

2022-05-06

公开号

CN114840051B

公开日

2025-09-05

申请人

杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G05F3_26

IPC 分类号

G05F3_26

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

消费电子, 便携式设备, 物联网设备, 汽车电子, 工业控制

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摘要

本发明公开了低功耗高瞬态响应无片外电容低压差线性稳压器，其中栅极直流偏置网络用于提供功率放大晶体管工作所需的栅极偏置电压；漏极直流偏置网络用于提供功率放大晶体管工作所需的漏极偏置电压；输入端阻抗匹配网络包括微带线、隔直电容以及RC并联电路；输出端阻抗匹配网络包括谐波控制网络和椭圆低通滤波匹配网络，其中，谐波控制网络选取通带外的两个频率点进行二次谐波控制；椭圆低通滤波匹配网络基于一个六阶切比雪夫低通滤波器改进得到，在工作频带外产生两个传输零点，实现基波阻抗到二次谐波阻抗的转换。本发明使得功率放大器在超五倍频的工作带宽内实现高效率和高增益。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种高线性度的GaN HEMT射频功率器件

当前第 / 件

一种针对EOSIO智能合约的漏洞检测方法及系统

同领域国内专利 · IPC: (G05F3_26)

G05F3_10 G05F3_26 覆盖2个领域

议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：2 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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