发明专利 已授权

一种提高杂质增强型稀土上转换材料荧光效率的方法

📄 申请号:CN201711079177.5 📄 发布日:2026/09/17

著录项目信息

申请日
2017-11-06
公开号
CN107892913A
公开日
2018-04-10
申请人
哈尔滨工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

生物医学成像, 防伪标识, 红外探测, 太阳能电池, 显示技术

摘要

本发明提供了一种提高杂质增强型稀土上转换材料荧光效率的方法,属于光学纳米材料领域。掺杂杂质作为一种增强稀土上转换荧光效率的公知方式,具有操作简单、成本低廉、效果显著的优点。但其最大的局限是杂质离子在降低晶格对称性的同时也会引入缺陷,即猝灭中心,所以引入杂质实际上带来了晶场增强与缺陷猝灭的相互竞争。本发明通过核壳结构的设计将敏化剂与杂质、敏化剂与发光中心分别集中在核壳结构的不同区域,在利用杂质增强作用的同时抑制引入杂质带来的副作用,进一步改善上转换纳米材料的发光效率,能够保留传统的杂质增强方法对稀土上转换材料起到的增强作用,提高上转换效率。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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