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发明专利
已授权
压力传感器及制造方法
📄 申请号:CN201711385415.5
📄 发布日:2025/12/22
著录项目信息
申请日
2017-12-20
公开号
CN108168743B
公开日
2024-08-27
申请人
南京方旭智芯微电子科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G01L1_22
IPC 分类号
G01L1_22
,
G01L9_04
,
技术画像
所属领域
压力传感器
传感器技术
微机电系统
传感器制造工艺
压力传感器
应用场景
工业自动化, 汽车电子, 医疗器械, 消费电子, 环境监测
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摘要
本发明实施例提供的压力传感器及制造方法包括衬底、所述衬底的表面开设有四个闭环沟槽,所述四个闭环沟槽中的每个闭环沟槽均设置有P型半导体以及阻隔层,所述阻隔层围绕所述P型半导体设置,以通过所述阻隔层阻止所述P型半导体的横向扩散。通过在P型半导体材料的周围设置阻隔层的方式可以有效阻止P型半导体的横向扩散,从而使得本发明实施例提供的压力传感器可以在保持PN结结深较深的同时没有较多的横向扩散,实现PN结结深较深的同时,器件面积也较小。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
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