发明专利已授权

一种高电导率Si/C纳米膜的制备方法及应用

📄 申请号：CN202110703747.3 📄 发布日：2025/11/17

著录项目信息

申请日

2021-06-24

公开号

CN113471399A

公开日

2021-10-01

申请人

湖北工程学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01M4_04

IPC 分类号

H01M4_04 , H01M10_0525 , C23C14_35 , D01D5_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料电池材料硅碳复合材料

应用场景

锂离子电池, 储能系统, 新能源汽车, 电极材料

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摘要

本发明提供一种高电导率Si/C纳米膜的制备方法，该方法包括以下步骤：首先，将碳源和硅源按1～24：1的质量比溶解于溶剂中，经搅拌得到预溶液；其次，将预溶液进行静电纺丝，获得预产物；再次，将所述预产物依次经过干燥、固化和煅烧操作，得到Si/C纳米膜；最后，将上述Si/C纳米膜进行真空镀膜，镀一层导电层，即得到高电导率Si/C纳米膜。本发明所制得的高电导率Si/C纳米膜作为锂电负极材料应用时，不仅体现出优异的导电性能，还能显著提高锂离子电池的循环稳定性和倍率性能，能够更好的满足纯电动车电池负极材料的应用需求。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

类普鲁士蓝衍生金属氧化物碳氮纳米纤维柔性电极材料及其制备方法和应用

当前第 / 件

一种ZnSnO-3纳米棒材料的制备方法及其储能应用

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：147 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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