发明专利已授权

一种ZnSnO-3纳米棒材料的制备方法及其储能应用

📄 申请号：CN202110894134.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-08-05

公开号

CN113697846B

公开日

2022-04-29

申请人

湖北工程学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01M4_485

IPC 分类号

H01M4_485 , C01G19_00 , C01G19_02 , B82Y30_00 , B82Y40_00 , H01M10_054 ,

技术画像

所属领域

纳米材料制备纳米材料制备储能材料锌锡氧化物

应用场景

超级电容器, 锂离子电池, 电化学储能, 储能系统

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摘要

本发明属于钠离子电池技术领域，具体公开了一种ZnSnO3纳米棒材料的制备方法及其储能应用。本发明采用微波水热法制备得到了ZnSnO3纳米棒材料，具体方法为：将氢氧化钠、锡源和锌源在冰浴条件下混合，然后在一定的微波水热条件下得到前驱体ZnSn(OH)6，再将所得前驱体ZnSn(OH)6置于管式炉中，在惰性气氛保护下，升温至300‑600℃，保温2‑10h，得到ZnSnO3纳米棒材料。该ZnSnO3纳米棒材料应用于钠离子电池负极材料时，具有容量高、循环稳定性能好的特点，该材料在0.1 A·g‑1的电流密度下，电化学性能稳定，循环100周后，比容量仍保持在430 mAh·g‑1，库伦效率接近100%。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种高电导率Si/C纳米膜的制备方法及应用

当前第 / 件

一种ZnSnO-3纳米棒/RGO复合材料的制备方法及其储能应用

同领域国内专利 · IPC: (H01M4_485)

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议价

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