本发明提供了一种单斜晶体各向异性导热率张量的确定方法及装置，属于晶体技术领域，旨在提高单斜晶体导热率张量的获取方法的通用性，所述方法包括：响应于对单斜晶体的热流密度的获取请求，接收输入的单斜晶体的二次对称轴所在的方向上的第一导热系数，以及，与二次对称轴垂直的平面上，至少两个不同方向上的第二导热系数；基于第一导热系数和多个第二导热系数，获取以单斜晶体的三个主轴建立的参考坐标系下，单斜晶体的第一导热率张量，并确定每个主轴的位置；根据目标坐标系的位置以及每个主轴的位置，确定目标坐标系与参考坐标系之间的位置转换关系；基于位置转换关系和第一导热率张量，确定目标坐标系下单斜晶体的第二导热率张量。
📄 2024106747981
📂 G01N25_20
👤 西安交通大学
📅 2024-05-29
一种二十六面体Cu2O介观晶体粉末的制备方法，包括以下步骤：步骤1，配制二价铜盐和二价锰盐的混合溶液；步骤2，配置碱的水溶液；步骤3，配置抗坏血酸钠水溶液；步骤4，制备Cu(OH)2前驱体；步骤5，还原反应；步骤6，后处理；本申请提供的制备方法，在室温条件下通过对铜盐、锰盐和碱的种类，反应物浓度和反应时间的调控，可制备出单分散性良好、尺寸均匀、形状规则的二十六面体Cu2O介观晶体；无需使用任何表面活性剂、成本低、且可操作性简便易行；获得的二十六面体Cu2O介观晶体表面由许多零维纳米颗粒结构单元堆垛而成的粗糙结构，且裸露晶面包括12个(100)、8个(111)和6个(100)晶面，光催化性能优良。
📄 2019100430661
📂 C01G3_02
👤 西安理工大学
📅 2019-01-17
本发明公开一种磷酸铋掺铕晶体及其制备方法，制备时先用去离子水与浓硝酸溶解一定量的Bi(NO3)3·5H2O，与一定量的Eu(NO3)3混合，搅拌一段时间后，滴加过量的NH4H2PO4，将混合溶液的pH值调至大于7；将混合溶液装入聚四氟乙烯的反应釜中，密封，放入干燥箱，水热反应后，将沉淀物经离心、洗涤、干燥后得到产品；通过水热法制得，设备简单、易于操作和调控，所得样品为均匀粉末，结晶度高，发光强度相对于六方相磷酸铋掺铕晶体大幅提高，该方法对于开发新型无机荧光材料具有重要意义。
📄 2019103724296
📂 C09K11_74
👤 陕西科技大学
📅 2019-05-06
一种十二磷钼酸H3PMo12O40·21H2O晶体材料的制备方法，属于含钼杂多酸晶体材料制备技术领域。将2.0～3.5g的钼酸铵、1.0～1.8g的硝酸铝、0.08～0.1mL磷酸、15～18g的蒸馏水于室温下搅拌混合得到反应底物后，转入到水热反应釜中进行水热反应，然后缓慢冷却至室温，固液分离即可得产物十二磷钼酸H3PMo12O40·21H2O晶体材料。合成方法简单易操作，反应收率较高。水热合成的时间为10～15h，水热合成的温度为190～200℃，有利于获得更高产率十二磷钼酸H3PMo12O40·21H2O晶体材料，产物形态为外形生长良好的多面体单晶体。
📄 2019106885872
📂 C30B29_10
👤 合肥学院
📅 2019-07-29
本发明涉及一种光功能晶体硼酸钙氧钬及其生长方法与应用，所述硼酸钙氧钬晶体的化学式为HoCa4O(BO3)3，晶体具有非中心对称结构，属于单斜晶系，m点群，晶胞参数β＝101.28°，熔点在1358℃附近，室温到熔点没有相变。晶体生长方法包括多晶料的制备和提拉法晶体生长，可制得直径20‑40mm、长度20‑50mm的高品质硼酸钙氧钬晶体。所述HoCa4O(BO3)3晶体在680‑1080nm,1220‑1800nm,2120‑2850nm波段具有80‑85％的光学透过率，可用作激光晶体、非线性光学晶体或自倍频晶体。
📄 2021103139497
📂 C30B29_22
👤 山东大学; 曲阜师范大学
📅 2021-03-24
本发明公开了一种碲掺杂锗酸铋晶体材料及其制备方法和应用，该材料的分子式为Te4xBi4(1‑x)Ge3O12，其中，x的取值范围为0.005～0.02，x代表Te离子的掺杂浓度，Te离子取代Bi离子格位；所述晶体材料的晶系为立方晶系，空间群为I‑43d，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4。本发明的Te4+掺杂的锗酸铋晶体材料，不仅在近红外激光方面有潜在应该用价值，其倍频激光在激光钠导星、生物医学、信息存储、通讯领域、国防军工、大气遥感等方面有着重要应用。其制备方法可以生长长度很长且直径均匀的晶体，生长晶体快速，节约大量时间，生长晶体所用原料较少，降低实验成本。
📄 2020111026706
📂 C30B29_32
👤 江苏师范大学
📅 2020-10-15
本发明公开了一种基于芴环配体的晶体材料及其制备方法和在发光增强检测Hg2+中的应用，首次基于4,4’‑((2,7‑二叔丁基‑9H‑芴‑9‑基)亚甲基)二吡啶功能配体制备得到了发光金属‑有机框架晶体材料[Cd3(L)2(NDA)3(H2O)2·L]n，方法简单，合成路线简单易控，产物产率可达42.3％，适合工业化生产。且相较于现有技术，该材料能够首次发光增强检测Hg2+，灵敏度极高，其发光增强检测水相Hg2+的淬灭常数高达‑2.12×104M‑1，检测极限低至3.51×10‑7M，具有广阔的应用前景。
📄 2024108626040
📂 C08G83_00
👤 江南大学
📅 2024-06-28
本申请公开了一种二氧化钛单晶材料，所述二氧化钛单晶材料为锐钛矿型二氧化钛单晶材料；所述二氧化钛单晶材料的尺寸为0.1cm～30cm。以及一种大尺寸锐钛矿型二氧化钛单晶的生长方法。所述二氧化钛单晶材料的致密性好，结晶程度高。该晶体材料的生长方法操作简单、重复性好、价格低廉、可规模化生产。这种锐钛矿型二氧化钛单晶作为最重要的半导体之一，其优异的光电特性及自身稳定、低毒等优点，使其在光催化、染料敏化太阳能电池、光致变色器件和气体感测等领域具有广泛应用。
📄 2019101033433
📂 C30B29_16
👤 福州神州核能科技有限公司
📅 2019-02-01
本发明提供一种湿法重结晶控制晶型制备HgS晶体的方法，属于汞的化合物的制备技术领域。本发明中将硫化汞粉末溶解在碱金属硫化物的溶液中，然后进行水热反应，反应结束后冷却至室温，通过控制向反应液中加入去离子水的速度和用量制备得到了不同晶型的HgS晶体。本发明中制备HgS晶体的反应条件温和、成本低，得到的晶体尺寸达到毫米级，晶体尺寸易于控制，晶体生长周期短。
📄 2025106906554
📂 C01G13_00
👤 湘西晶研朱砂新材料有限公司
📅 2025-05-27
本实用新型涉及储存装置技术领域，且公开了一种高纯硅晶体材料储存装置，包括：支撑板；固定安装在支撑板底部的支撑腿；固定安装在所述支撑板顶部的挡板；连通设置在所述支撑板底部的出料管；转动连接在所述出料管底部的封闭阀门；以及设置在所述支撑板顶部的操作组件，所述操作组件包括设置在支撑板顶部的储存部，所述储存部内部固定安装有搅拌部，所述搅拌部连接有通风部。
📄 2023210443532
📂 B65D88_74
👤 江苏中腾石英材料科技股份有限公司
📅 2023-05-05
已申报项目
本发明公开了一种高钒、高钛和高含水的锰橄榄石单晶的制备方法，以固态的四水合硝酸锰(II)粉末、固态的偏钒酸铵粉末、液态的正硅酸乙酯、液态的钛酸四丁酯、固态的天然蛇纹石粉末、固态的天然片水锰矿粉末和无水乙醇作为起始原料制备出高钒和高钛的锰橄榄石圆柱体样品；采用蛇纹石和片水锰矿放在压片机上压成两圆片依次安放在锰橄榄石圆柱体样品的两端，将锰橄榄石圆柱体样品和两水源片一起密封到金钯合金样品管内进行高温高压反应得到高钒的、高钛的和高含水的锰橄榄石单晶；解决了现有技术制备不含微量元素纯锰橄榄石，颗粒粒度都比较小且得到的样品均是不含水的，不能满足各式高温高压实验室模拟的科学研究需求等技术问题。
📄 202111317919X
📂 C30B1_12
👤 中国科学院地球化学研究所
📅 2021-11-09
柿子坊 · 知识产权运营
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