发明专利已授权

一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法

📄 申请号：CN201410410783.0 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2014-08-20

公开号

CN104193395A

公开日

2014-12-10

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B38_06

IPC 分类号

C04B38_06 , C04B35_565 , C04B35_622 ,

技术画像

所属领域

多孔陶瓷多孔陶瓷碳化硅陶瓷陶瓷制备工艺

应用场景

高温烟气过滤, 催化剂载体, 熔融金属过滤, 隔热材料, 水处理

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摘要

本发明属于材料科学与工程领域，具体涉及一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，包括有以下步骤：1)多孔碳化硅素胚的比例设计；2)多孔碳化硅陶瓷的素胚成型；3)多孔碳化硅陶瓷的烧制，得到所需要的多孔碳化硅陶瓷。本发明的有益效果在于：通过组成比例设计，即控制碳化硅、金属硅粉、有机粘接剂的比例，使反应产物主要为碳化硅；此外，控制三者混合后的密度，可实现多孔碳化硅陶瓷孔隙率的准确控制，可制备出孔隙在40％-80％之间可控的多孔碳化硅陶瓷制品，具有孔隙率可控，孔隙均匀的特点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种针对小尺度目标的数据增强方法

当前第 / 件

一种低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法

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