发明专利已授权

一种低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法

📄 申请号：CN201410299601.7 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2014-06-27

公开号

CN104030721A

公开日

2014-09-10

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C04B38_00

IPC 分类号

C04B38_00 , C04B35_63 , C04B35_565 ,

技术画像

所属领域

多孔陶瓷多孔陶瓷碳化硅陶瓷低温烧结技术

应用场景

高温气体过滤, 催化剂载体, 隔热材料, 水处理, 熔融金属过滤

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摘要

本发明涉及低温烧结的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，包括以下步骤：1)将SiC粉末：SiC烧结助剂：无水乙醇：聚乙烯醇混合研磨，干燥，得到SiC多孔陶瓷烧制原料；2)采用挤出成型机制成多通道管状试件，再放入200℃马弗炉中预烧2h，随炉冷却，制得多通道管状SiC多孔陶瓷素胚；3)将步骤2)制得的多通道管状SiC多孔陶瓷素胚，放入管式炉中，在氮气气氛下，按6℃/min的速度升温至200℃，再按9℃/min的速度升温至1200—1300℃，并保温2h，完成后随炉冷却至室温，制得SiC多孔陶瓷。本发明的有益效果在于：具有高连通空隙率及高抗折强度，提升了其使用性能，并且可在较低的温度下烧结，节约了能源。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法

当前第 / 件

一种基于碳化硅陶瓷膜的油水分离方法

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