发明专利已授权

利用双基片台MPCVD装置将人体头发作为碳源生长单晶金刚石的方法

📄 申请号：CN201711250553.2 📄 发布日：2025/11/16

著录项目信息

申请日

2017-12-01

公开号

CN107937980B

公开日

2020-01-14

申请人

武汉工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B25_00

IPC 分类号

C30B25_00 , C30B29_04 , C23C16_27 , C23C16_448 ,

技术画像

所属领域

微波等离子体化学气相沉积微波等离子体化学气相沉积单晶金刚石晶体生长技术

应用场景

超硬材料工具, 半导体器件, 光学窗口, 散热材料, 珠宝首饰

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摘要

本发明公开了一种利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，包含如下步骤：第一步，提供人体头发、单晶金刚石衬底以及双基片台MPCVD反应装置；第二步，将单晶金刚石衬底放在下基片台凹槽处，人体头发绑成头发束通过传送装置置于上基片台中心孔内；第三步，反应装置内通入氢气，产生微波等离子体，调节装置工艺参数，头发束以一定速度伸出上基片台中心孔并进入等离子体中被刻蚀，同时进行单晶金刚石生长；第四步，利用激光切除单晶衬底，得到由人体头发为碳源制备的单晶金刚石；该方法采用微波等离子体化学气相沉积方法合成单晶金刚石，将头发作为碳源，通过在双基片MPCVD反应装置腔体内刻蚀人体头发的同时生长出单晶金刚石。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种钻杆长度的测量方法和测量系统

当前第 / 件

一种基于等离子体放电的煤炭灰分测量方法及装置

同领域国内专利 · IPC: (C30B25_00)

C30B25_00 覆盖1个领域

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：114 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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