实用新型 已授权

加热体及包含该加热体的水平区熔炉(半导体加工、稀土材料加工、复核材料加工)

📄 申请号:CN202222089823.9 📄 发布日:2026/09/21

著录项目信息

申请日
2022-08-09
公开号
CN218673115U
公开日
2023-03-21
申请人
苏州窄带半导体科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
实用新型
主分类号

技术画像

所属领域

应用场景

半导体加工, 稀土材料加工, 复合材料加工, 材料提纯, 晶体生长

摘要

本实用新型属于材料生长和提纯技术领域,公开了一种加热体,包括:碳化硅圆柱,所述碳化硅圆柱结构相同,所述碳化硅圆柱基于电热管加热;隔热圆筒,所述隔热圆筒设在相邻的碳化硅圆柱之间;隔热反射组件,所述隔热反射组件包覆在所述碳化硅圆柱和所述隔热圆筒外壁。本实用新型通过独立控温和优化的算法设计实现组合加温,获得中间段加热体的熔区长度在5mm‑20mm范围分布,针对不同的材料区熔时均可通过改变每段加热体的设定温度和基于脉宽调制(PWM)改变加热电压脉宽实现熔区长度调节,温度控制精度可达±0.1℃。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20230321
✅ 授权

同领域国内专利 · IPC: (F27B14_06)

议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:14 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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