一种N和P共掺杂SiC纳米线压力传感器

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摘     要：本发明涉及一种由N和P共掺杂SiC纳米线大应变系数高灵敏压力传感器及其制备方法，属材料制备技术领域。所述的传感器的功能单元为单晶N和P共掺杂SiC纳米线，N和P的掺杂量分别为1.35‑3.0at.％和0.06‑0.11at.％。本申请通过在热解过程中引入双掺杂剂，实现N和P共掺SiC纳米线的生长，并采用单晶N和P共掺杂SiC纳米线作为压力传感器的功能单元，实现了高灵敏SiC纳米线压力传感器的制备，且本发明压力传感器能够实现nN级别应力变化的探测，其应变系数可达～878。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2020/03/17	授权
  2019/06/11	实质审查的生效	IPC(主分类): G01L 1/18 专利申请号: 201811624495.X 申请日: 2018.12.28
  2019/05/17	公开

• 申请号	专利名称	发布日期
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