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摘 要:本申请公开了一种铟磷高电子迁移率晶体管源极串联电阻的提取方法,包括以下步骤:获取InPHEMT器件的直流测试数据;基于InPHEMT器件的直流测试数据,计算直流跨导与直流输出电导;基于InPHEMT器件正常工作状态下的S参数测量结果及直流跨导和直流输出电导,获取源极串联电阻的初始值;基于InPHEMT器件正常工作状态下的S参数测量结果,获取射频跨导与射频输出电导;基于源极串联电阻的初始值、射频跨导以及射频输出电导,优化源极串联电阻参数值。本申请从源极串联电阻对器件特性的影响出发,利用直流特性和正常工作状态下的S参数,定义了源极串联电阻唯一解的提取方法,且提高了模型的精度。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202310412302.9 | 专利名称: | 一种铟磷高电子迁移率晶体管源极串联电阻的提取方法 |
申请日: | 2023-04-18 | 申请/专利权人 | 南通大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南通市崇川区永福路79号1幢南通大学技术转移研究院 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01R27/08搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2024-09-20 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN116559541B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |