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| 专利/申请号： | CN201410026373.6 | 专利名称： | 悬空氮化物薄膜LED器件及制备方法 |
| 申请日： | 2014-01-21 | 申请/专利权人 | 南京邮电大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省南京市栖霞区亚东新城区文苑路9号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L33/00 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2016-10-05 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN103779452B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 92 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，包括顶层氮化物器件层和硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，消除硅衬底层对激发光的吸收，实现悬空氮化物薄膜LED器件；顶层氮化物器件层的上表面具有纳米结构，用以改善氮化物的界面状态，提高出光效率；结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除LED器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物薄膜LED器件，进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得超薄的悬空氮化物薄膜LED器件，降低LED器件的内部损耗，提高出光效率。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2016/10/05 | 授权 | |
| 2014/06/04 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 33/00 专利申请号: 201410026373.6 申请日: 2014.01.21 |
| 2014/05/07 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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