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一种半导体铜背靶加工方法

来源:https://www.shizifang.com  发布日:2025/03/31

摘     要:本发明公开了一种半导体铜背靶加工方法,其包括以下步骤:(1)将圆柱体状的T2紫铜铜材加热至850℃,然后经过锻压机锻打使T2紫铜铜材的直径变大高度变低,后放置冷却至650℃,然后将T2紫铜铜材锻打成一长方体的形状;(2)在650℃条件下将长方体状的T2紫铜铜材进行墩粗;(3)将T2紫铜铜材放置冷却至350℃,在350℃条件下将墩粗后的T2紫铜铜材锻打成长方体状;(4)继续在350℃条件下继续使用锻压机对长方体状的T2紫铜铜材进行锻打,将长方体状的T2紫铜铜材锻打成圆饼形状,然后在常温条件下空冷放置。本发明的半导体铜背靶加工方法可以将T2紫铜铜材加工成半导体铜靶材,工艺简单,加工成本低。

著 录 项: 

专利/申请号: CN202010880526.9 复制 专利名称: 一种半导体铜背靶加工方法 复制
申请日: 2020-08-27 申请/专利权人 金嘉品(昆山)金属工业有限公司
专利类型: 发明 地址: 江苏省苏州市昆山市巴城镇东昌路33号
专利状态: 已下证 查询审查信息 分类号: B21J5/00搜分类   半导体芯片生产 芯片制造 半导体铜靶材 铜靶材加工 铜背靶精密加工搜索
公开/公告日: 2022-05-31 转让价格: 面议
公开/公告号: CN112170753B 交易状态: 等待洽谈   搜索相似专利

专利交易流程

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专利转让材料

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    专利转让协议(需盖公章)一式两份 专利转让协议(需签字)一式两份
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    专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
    专利证原件(若授权下证) 专利证原件(若授权下证)

专利法律信息

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