专利名称：基于忆阻器的自供能设备及其脉冲神经网络优化方法      申请号：2021101101921     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电路元件 电阻网络 集成电路 芯片   相似专利 发布日：2025/01/22  
摘要： 本发明涉及人工智能技术领域，公开了一种基于忆阻器的自供能设备及其脉冲神经网络优化方法。本发明在对忆阻器交叉阵列和脉冲神经网络进行网络分块映射的基础上，根据脉冲神经网络的运行特点，对脉冲神经网络的运行规模进行能量等级划分，将脉冲神经网络的运行模式调整为“闲置‑部分激活‑全激活”模式，可以利用环境能量等级预测的方法预测供能周期的能量等级变化，合理调整脉冲神经网络的运行规模，挽救供能周期边界处的未完成任务的进度，实现能量等级平滑过渡。应用本发明可以使得脉冲神经网络的运行适应环境能量的变化，脉冲神经网络在微弱的供能条件下依然能够持续正常运行，提高了自供能设备上的脉冲神经网络的吞吐率和能效。

专利名称：缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备      申请号：202010003662X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电路元件 电阻网络 集成电路 芯片   相似专利 发布日：2025/01/22  
摘要： 本发明涉及一种缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备，应用于计算机与电子信息技术领域，其中，获取忆阻器交叉阵列的输入电压；计算所述忆阻器交叉阵列中的潜通路引起的电流误差值；根据所述潜通路引起的电流误差值对所述输入电压进行调整，以降低所述潜通路引起的电流误差值。如此，只需调整忆阻器交叉阵列中的输入电压，便可以降低所述潜通路引起的电流误差值，调整了潜通路引起的误差损失，不必在忆阻器交叉阵列中再次添加新的设备，从而，不必改变忆阻器交叉阵列的制造工艺。

专利名称：缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备      申请号：2020100036598     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电路元件 电阻网络 集成电路 芯片   相似专利 发布日：2025/01/22  
摘要： 本发明涉及一种缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备，应用于计算机与电子信息技术领域，其中，方法包括获取所述交叉阵列中各传感放大器的放大系数；根据所述放大系数调整对应的所述传感放大器的放大倍数，所述传感放大器用于根据所述放大系数对其对应阵列输出端的电流进行补偿。