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| 专利/申请号： | CN201711342109.3 | 专利名称： | 一种钴掺杂二硫化钼原位电极及其制备方法 |
| 申请日： | 2017-12-14 | 申请/专利权人 | 三峡大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 湖北省宜昌市大学路8号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | C01G51/00 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2018-05-18 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN108046338A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 12 | 所属领域： | 加氢脱硫 染料敏化太阳能电池 电解水制氢 传感器 场效应晶体管 锂离子电子 超级电容器 催化产氢 能量存储 转换材料 电极材料 清洁能源专利转让搜索 |
应用场景：超级电容器电极材料；电催化析氢；能源存储与转换
摘 要：本发明提供一种钴掺杂二硫化钼原位电极，所述的钴掺杂二硫化钼为钴均匀替代钼所形成的钴掺杂二硫化钼，钴掺杂二硫化钼的物相为2H型二硫化钼。具体制备方法是在室温下，将氯化钼溶于乙醇溶液中，再加入金属钴盐，再加入硫脲，搅拌溶解，得到Co‑Mo‑S前躯液；将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上，70~100℃快速干燥，得到前驱膜；将步骤二中前驱膜于氩气或氮气保护中经500~800℃烧结0.5~2 h，随炉冷却取出即可得到钴掺杂二硫化钼原位电极。本发明利用Co‑Mo‑S前驱液内Co、Mo、S原子的均匀混合性和Co‑Mo‑S乙醇前驱液易均匀成膜性；利用500~800℃高温固相反应制备钴掺杂的二硫化钼。原位Co掺杂MoS2电极生长具有相对于热解Pt电极更好的稳定性。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2019/10/25 | 授权 | |
| 2018/06/12 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C01G 51/00 专利申请号: 201711342109.3 申请日: 2017.12.14 |
| 2018/05/18 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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