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摘 要:本发明提供一种钴掺杂二硫化钼原位电极,所述的钴掺杂二硫化钼为钴均匀替代钼所形成的钴掺杂二硫化钼,钴掺杂二硫化钼的物相为2H型二硫化钼。具体制备方法是在室温下,将氯化钼溶于乙醇溶液中,再加入金属钴盐,再加入硫脲,搅拌溶解,得到Co‑Mo‑S前躯液;将上述前躯液滴涂或旋涂到基底上,70~100℃快速干燥,得到前驱膜;将步骤二中前驱膜于氩气或氮气保护中经500~800℃烧结0.5~2 h,随炉冷却取出即可得到钴掺杂二硫化钼原位电极。本发明利用Co‑Mo‑S前驱液内Co、Mo、S原子的均匀混合性和Co‑Mo‑S乙醇前驱液易均匀成膜性;利用500~800℃高温固相反应制备钴掺杂的二硫化钼。原位Co掺杂MoS2电极生长具有相对于热解Pt电极更好的稳定性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711342109.3 | 专利名称: | 一种钴掺杂二硫化钼原位电极及其制备方法 |
申请日: | 2017-12-14 | 申请/专利权人 | 三峡大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖北省宜昌市大学路8号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C01G51/00搜分类 加氢脱硫 染料敏化太阳能电池 电解水制氢 传感器 场效应晶体管 锂离子电子 超级电容器 催化产氢 能量存储 转换材料 电极材料 清洁能源搜索 |
公开/公告日: | 2018-05-18 | 转让价格: | 10900.0元 |
公开/公告号: | CN108046338A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |