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| 专利/申请号： | CN201810196376.2 | 专利名称： | 一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法 |
| 申请日： | 2018-03-09 | 申请/专利权人 | 三峡大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 湖北省宜昌市大学路8号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | C25B11/06 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2020-06-23 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN108385132B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 9 | 所属领域： | 石墨材料 染料敏化太阳能电池 光电转化材料 复合材料 能量存储 转换材料 电极材料 清洁能源专利转让搜索 |
应用场景：超级电容器电极制备;电催化析氢;能源存储设备制造
摘 要：本发明提供一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法，具体制备方法为：钴盐和氯化钼溶于挥发非水溶剂中，获得Co‑Mo前躯液；上述前躯液涂布到基底上，干燥后在Ar+S气氛中或N2+S气氛中，CVD硫化。硫化反应温度为600~800℃，反应时间为10 min~2 h。本发明的技术方案可用于电解水制氢和染料敏化太阳能电池，对于原位电极的批量生产有重大意义。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2020/06/23 | 授权 | |
| 2018/09/04 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C25B 11/06 专利申请号: 201810196376.2 申请日: 2018.03.09 |
| 2018/08/10 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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