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| 专利/申请号： | CN202310210768.0 | 专利名称： | 一种低温脱除金属硅杂质的方法 |
| 申请日： | 2023-03-07 | 申请/专利权人 | 安阳工学院 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 河南省安阳市高新区黄河大道西段 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | C01B33/037 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2024-10-01 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN116161666B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 15 | 所属领域： | 冶金专利转让搜索 |
应用场景：多晶硅生产提纯工艺优化;半导体级硅材料制备;光伏产业原料处理;电子级高纯度硅材制造
摘 要：本发明给出了一种低温脱除金属硅杂质的方法，包括以下步骤：S1、硅料粉碎及除杂：在流化床式气流粉碎装置内，以高压Ar气为载体，将粒度小于1mm的硅料进行对撞粉碎，得到一定目数的硅粉；在所述流化床式气流粉碎装置上还安装有冷等离子枪，冷等离子枪产生的冷等离子体对粉碎后的硅粉进行非金属杂质的脱除处理；S2、酸洗除杂：利用含有H2O2和HF的酸洗液对硅粉进行酸洗除杂；S3、定向凝固除杂，得到杂质含量满足太阳能硅要求的高纯硅。本发明所述脱除金属硅中非金属杂质的方法，无需高温下将硅料熔化，能耗低，除杂效果好。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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