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摘 要:本发明公开了可阵列控制的智能半桥开关模块及其控制方法,在将传统IGBT功率模块内IGBT芯片分成阵列的同时给每个芯片的二极管支路增加了一个电子开关,电子开关可以选用MOSFET。增加的电子开关使得在二极管导通和关断也可控,在二极管支路续流过程中通过对各个二极管支路的分别控制使得其承受的电流应力变得平滑,减小了由于电应力波动对二极管造成的冲击和损耗,增加了功率模块的使用寿命,进一步提高了功率模块自由度和应用灵活性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010357705.4 | 专利名称: | 可阵列控制的智能半桥开关模块及其控制方法 |
申请日: | 2020-04-29 | 申请/专利权人 | 陕西科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市未央区大学园 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H02M7/797搜分类 半导体 电力电子 开关器件 大功率电源搜索 |
公开/公告日: | 2024-11-26 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111431430B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |