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摘 要:本发明公开了一类基于噻二唑的多环芳烃有机半导体材料及其制备方法,其结构可由通式(I)表示。其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基。本发明的杂环衍生物可以通过Suzuki偶联反应、C‑H活化偶联反应、Sonogashira偶联反应、PtCl2催化环化反应和Scholl反应合成。本发明的多环芳烃衍生物不仅具有优良的溶解性和热稳定性,并且具有优异的π共轭骨架,π共轭体系的增加有利于提高相应器件性能,是性能很好的有机半导体材料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610382531.0 | 专利名称: | 一类基于噻二唑的多环芳烃有机半导体材料及其制备方法和在光电器件应用 |
申请日: | 2016-06-02 | 申请/专利权人 | 南京邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C07D513/22搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2019-01-08 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106008558B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |