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摘 要:本发明涉及一种基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺,所述冷阴极X射线管包括管体,所述管体内设置阴极、阳极和栅极,所述阴极应用碳纳米管制备而成,所述碳纳米管需经过以下处理:将纵向生长于衬底表面的碳纳米管置于稀释的30-40%的HF溶液中浸泡,使纵向生长的碳纳米管的自由端簇聚于一点。对碳纳米管进行处理,使经过处理的碳纳米管的比表面积能够得到大幅提升,实现电子聚集,进一步提高了利用该碳纳米管制作的冷阴极X射线管的场致发射效果、X射线强度和电子发射定向性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410854114.2 | 专利名称: | 一种基于碳纳米管的冷阴极X射线管的制作工艺 |
申请日: | 2014-12-31 | 申请/专利权人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01J9/00搜分类 纳米材料 纳米管搜索 |
公开/公告日: | 2017-03-15 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN104576261B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |