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摘 要:本发明公开了一种基于阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法。在小信号扰动下,基于空间电荷限制电流理论SCLC,建立理论阻抗(导纳)模型。制备不同厚度下的单层载流子器件,测试、拟合阻抗实部和虚部,得到有机半导体材料的迁移率μ,厚度越厚,迁移率越大。最后从λTrap界面陷阱自由能的角度解释迁移率与厚度的关系,即dG=λTrap.dA。发明优点:(1)直接测量实际器件中有机半导体的载流子迁移率,能真实反映有机半导体的输运性能,如色散参数;(2)与传统的TOF技术相比,能够节约成本:TOF要求有机半导体的厚度要达到微米级,对于许多新材料而言,代价十分昂贵;(3)从界面陷阱自由能的角度解释界面厚度比例对迁移率影响,更简洁和具有说服力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610025150.7 | 专利名称: | 阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法 |
申请日: | 2016-01-13 | 申请/专利权人 | 南京邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市栖霞区亚东新城区文苑路9号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01N27/02搜分类 纳米材料搜索 |
公开/公告日: | 2019-08-02 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN105548267B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |