专利名称：阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法      申请号：2016100251507     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 有机半导体   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明公开了一种基于阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法。在小信号扰动下，基于空间电荷限制电流理论SCLC，建立理论阻抗(导纳)模型。制备不同厚度下的单层载流子器件，测试、拟合阻抗实部和虚部，得到有机半导体材料的迁移率μ，厚度越厚，迁移率越大。最后从λTrap界面陷阱自由能的角度解释迁移率与厚度的关系，即dG＝λTrap.dA。发明优点：(1)直接测量实际器件中有机半导体的载流子迁移率，能真实反映有机半导体的输运性能，如色散参数；(2)与传统的TOF技术相比，能够节约成本：TOF要求有机半导体的厚度要达到微米级，对于许多新材料而言，代价十分昂贵；(3)从界面陷阱自由能的角度解释界面厚度比例对迁移率影响，更简洁和具有说服力。

专利名称：一种三并咔唑基梯形有机半导体激光材料及其制备方法与应用      申请号：2017102809207     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 有机半导体   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明公开了一种三并咔唑基梯形有机半导体激光材料及其制备方法与应用。该材料的结构以三并咔唑结构单元为核，以不同共轭长度的梯形芴结构为臂，选用不同端基进行封端的梯形大分子衍生物。本发明材料结构明确，具有逐渐增大的π共轭体系,特殊的刚性多臂结构使有机梯形共轭分子避免了构型的无序性，同时选用不同电活性官能团封端，可以调节材料的发光特性和电学性能，故表现出较高的光热稳定性和载流子迁移率应用于有机半导体激光领域，具有高增益系数、高热稳定性的特征，适合在有机激光器件或有机电致发光器件上应用。

专利名称：一种芘基有机半导体激光材料及其制备方法与应用      申请号：2017103916028     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 有机半导体   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种芘基有机半导体激光材料及其制备方法与应用，该材料是以芘为核，二苯胺基团为封端单元，以不同链长芴基为桥连单元，四取代对称芘为核的蝶形结构，该材料具有如下式所示的结构通式：其中，R为C1‑C30的直链或支链烷基或烷氧基；n为1‑5的自然数。本发明的材料制备简单，中间体成本低廉，反应过程容易控制，产品易于分离、收率高、纯度高；该材料不仅在有机激光器件中表现出良好的热稳定性、低阈值、低的水氧敏感性和高发光强度，而且在有机电致发光器件中表现出超低的启亮电压、优异的发光亮度和效率；在有机半导体激光器件和有机电致发光器件方面展现出重要的应用潜力。