专利名称：一种有机半导体晶体材料及其制备方法与用途      申请号：2023102924821     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：发明   关键词：半导体材料 光电材料 四硫富瓦烯 有机半导体   相似专利 发布日：2025/05/28  
摘要： 本发明公开了一种有机半导体晶体材料及其制备方法和用途，该晶体材料的晶系为三斜，空间群为P‑1，晶胞参数 α＝104.068(7)°，β＝104.957(7)，γ＝104.652(8)°；其结构单元包含1个四苯腈基四硫富瓦烯配体、1个DMF和1客体水分子；客体水分子的氧原子、DMF中的氧原子与苯环上的氢原子形成特有的氢键，相邻的四苯腈基四硫富瓦烯配体分子之间通过五元环形成特有的π…π作用，分子通过氢键和π…π作用以及分子间力形成三维网络结构。在室温下，该晶体材料具有良好的光电流响应性能。

专利名称：一种含噻吩基的有机半导体晶体材料及其制备方法与用途      申请号：2023100289400     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：发明   关键词：半导体材料 光电材料 光电传感 有机半导体   相似专利 发布日：2025/03/26  
摘要： 本发明公开了一种含噻吩基的有机半导体晶体材料及其制备方法与用途，该晶体材料晶系为单斜，空间群为P21/c，晶胞参数α＝90°，β＝98.754(2)°，γ＝90°，分子式为C34H36O12S12，分子量为1021.34；其基本结构单元包含1个四噻吩羧酸四硫富瓦烯配体和4个二甲亚砜分子组成，配体分子中羧酸基团上的4个氢原子分别和4个二甲亚砜分子中的氧原子形成了氢键，相邻配体分子之间通过五元环形成π…π作用，分子通过氢键和π…π作用形成三维网络结构。在室温下，该晶体材料具有良好的光电流响应性能，其作为光电流响应的半导体材，具有广泛的应用前景。该技术具有操作简单、成本低、性能稳定、适合规模化生产等优点。

专利名称：一类基于噻二唑的多环芳烃有机半导体材料及其制备方法和在光电器件应用      申请号：2016103825310     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 有机半导体   相似专利 发布日：2025/03/06  
摘要： 本发明公开了一类基于噻二唑的多环芳烃有机半导体材料及其制备方法，其结构可由通式(I)表示。其中Ar表示芳基、取代芳基、杂环芳基或取代杂环芳基。本发明的杂环衍生物可以通过Suzuki偶联反应、C‑H活化偶联反应、Sonogashira偶联反应、PtCl2催化环化反应和Scholl反应合成。本发明的多环芳烃衍生物不仅具有优良的溶解性和热稳定性，并且具有优异的π共轭骨架，π共轭体系的增加有利于提高相应器件性能，是性能很好的有机半导体材料。

专利名称：一种自组装的有机半导体材料PC05纳米线检测癌细胞的光致电化学方法      申请号：2019101589105     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 有机半导体   相似专利 发布日：2025/04/14  
摘要： 本发明公开了一种基于自组装的有机半导体材料PC05纳米线结构检测癌细胞的光致电化学免疫传感器，首先通过简单的自组装的方法对纳米线的长度进行了调控，选择了最合适长度的纳米线，该有机半导体纳米线有非常完美的晶型结构，非常有利于电荷的传输，同时在电极上通过电沉积的方法沉积上金纳米粒子，金的费米能级与PC05纳米线可以很好的匹配，从而进一步的增强传感器的光电信号。并且PC05作为一种p型半导体，在进行光电测试的时候，检测溶液中的溶解氧就可以消耗激发的电子。

专利名称：阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法      申请号：2016100251507     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 有机半导体   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明公开了一种基于阻抗谱法确定有机半导体厚度依赖的迁移率方法。在小信号扰动下，基于空间电荷限制电流理论SCLC，建立理论阻抗(导纳)模型。制备不同厚度下的单层载流子器件，测试、拟合阻抗实部和虚部，得到有机半导体材料的迁移率μ，厚度越厚，迁移率越大。最后从λTrap界面陷阱自由能的角度解释迁移率与厚度的关系，即dG＝λTrap.dA。发明优点：(1)直接测量实际器件中有机半导体的载流子迁移率，能真实反映有机半导体的输运性能，如色散参数；(2)与传统的TOF技术相比，能够节约成本：TOF要求有机半导体的厚度要达到微米级，对于许多新材料而言，代价十分昂贵；(3)从界面陷阱自由能的角度解释界面厚度比例对迁移率影响，更简洁和具有说服力。

专利名称：一种三并咔唑基梯形有机半导体激光材料及其制备方法与应用      申请号：2017102809207     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 有机半导体   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明公开了一种三并咔唑基梯形有机半导体激光材料及其制备方法与应用。该材料的结构以三并咔唑结构单元为核，以不同共轭长度的梯形芴结构为臂，选用不同端基进行封端的梯形大分子衍生物。本发明材料结构明确，具有逐渐增大的π共轭体系,特殊的刚性多臂结构使有机梯形共轭分子避免了构型的无序性，同时选用不同电活性官能团封端，可以调节材料的发光特性和电学性能，故表现出较高的光热稳定性和载流子迁移率应用于有机半导体激光领域，具有高增益系数、高热稳定性的特征，适合在有机激光器件或有机电致发光器件上应用。

专利名称：一类基于多环芳烃K位并咪唑基的有机半导体材料的制备方法及应用      申请号：2016101216888     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 有机半导体   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明公开了基于多环芳烃K位并咪唑基有机半导体材料的制备方法及其应用。合成所得材料结构通式如下，其中，Ar表示芳基及取代芳基，R表示长短的不一的烷基链，结构设计的特点在于咪唑连接的苯环位置属于K(4，5)位，与常规化合物的连接位置(1，2)完全不同。另外，该类化合物的结构设计符合D?A?D(给体?受体?给体)结构，可以很好的应用于有机太阳能电池器件，提高其器件性能。

专利名称：一种芘基有机半导体激光材料及其制备方法与应用      申请号：2017103916028     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 有机半导体   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种芘基有机半导体激光材料及其制备方法与应用，该材料是以芘为核，二苯胺基团为封端单元，以不同链长芴基为桥连单元，四取代对称芘为核的蝶形结构，该材料具有如下式所示的结构通式：其中，R为C1‑C30的直链或支链烷基或烷氧基；n为1‑5的自然数。本发明的材料制备简单，中间体成本低廉，反应过程容易控制，产品易于分离、收率高、纯度高；该材料不仅在有机激光器件中表现出良好的热稳定性、低阈值、低的水氧敏感性和高发光强度，而且在有机电致发光器件中表现出超低的启亮电压、优异的发光亮度和效率；在有机半导体激光器件和有机电致发光器件方面展现出重要的应用潜力。

专利名称：一种快速检测有机半导体溴化反应产物组成的紫外可见吸收光谱分析法      申请号：2017104199380     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 快速检测 光谱分析 有机半导体   相似专利 发布日：2024/04/23  
摘要： 本发明公开了一种快速检测有机半导体溴化反应产物组成的紫外可见吸收光谱分析法。该方法步骤为：先将有机半导体的两种溴代产物按不同比例混合溶于有机溶剂，并测试其紫外‑可见吸收光谱；根据不同组成比例混合溶液的吸收曲线形状，分别计算其积分面积、峰宽、峰高、混合溶液的吸收曲线与原料吸收曲线相减后得到的峰高等数据，分别将上述数据与其组成比例联系，即可得到多个计算公式，通过实验验证出最优公式；测试未知产物组成比例的有机半导体溴化反应原液吸收曲线，即可通过这些公式计算得到产物组成比例。该方法操作快捷，成本低廉，为有机半导体工业化生产领域，提供了一种快速检测溴化反应产物组成比例的新技术。

专利名称：一种D-A-D型有机半导体材料及其制备方法和应用      申请号：2021115658343     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 有机半导体   相似专利 发布日：2025/04/07  
摘要： 本发明涉及有机半导体技术领域，具体公开了一种D‑A‑D型有机半导体材料及其制备方法和应用。本发明通过吩嗪与噻吩稠合构建出缺电子特性的五元稠环，再将其与三苯胺外围修饰基团偶联，设计合成出一种D‑A‑D型有机半导体材料。该有机半导体材料合成路线简单，成本低廉，适合大量生产。同时分子中的多氮、硫原子特征，能够增强分子与钙钛矿层的界面作用，提高空穴提取效率。以其作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中时，电池的光电转化效率超过19%，且表现优异的器件稳定性能，具有重要的应用前景。

专利名称：一种有机半导体材料及其制备方法      申请号：2018116224424     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 材料及其制备方法 有机半导体   相似专利 发布日：2024/07/15  
摘要： 本发明公开了一种有机半导体材料，属于半导体技术领域，解决了现有有机半导体材料的热稳定性、光稳定性差的问题，其化学式所示的化合：采用本发明的制备方法制备的有机半导体材料，简化了合成路线，制造成本低价，材料具有良好的热稳定性和光稳定性，有效的防止发光过程中能量回传给主体材料，大大提高发光效率。该材料采用了较简单的合成路线，减少了工艺流程，原材料价廉易得，制造成本得到降低，可适用于有机电致发光器件。

专利名称：硒吩衍生物及其制备方法和在作为有机半导体材料方面的应用      申请号：2019101699552     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：生物医药 有机半导体   相似专利 发布日：2023/12/13  
摘要： 本发明涉及一种硒吩衍生物，其结构式如下所示：。该硒吩衍生物的制备是通过硒吩并[3,2-b]硒吩的醛基化及随后的Wittig反应合成而得。本发明经试验发现：该硒吩衍生物是一种新型有机半导体材料，其用作有机半导体材料有较好的空穴迁移率。

专利名称：一种多孔有机半导体薄膜的制备方法      申请号：2018107404979     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 塑料 膜的制备方法 多孔 有机半导体   相似专利 发布日：2023/12/13  
摘要： 本发明公开了一种多孔有机半导体薄膜的制备方法，将有机半导体材料与高分子聚合物溶解在有机溶剂中，混合均匀，形成前驱体溶液。将前驱溶液旋涂在基底上，由于气息图案原理，形成多孔有机半导体薄膜。由于高分子聚合物的掺入，抑制了有机半导体材料的聚集和结晶，促进了多孔薄膜结构的形成。同时，高分子聚合物的掺入有利于提高有机半导体材料的电学稳定性。本发明工艺简单、重复性好、对设备和环境条件要求低，适用于大部分多孔有机半导体薄膜的制备，在新型有机半导体器件制备中有广阔的应用前景。

专利名称：有机半导体器件原位电学性能监测设备      申请号：2021104641122     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 器件 有机半导体   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明涉及一种有机半导体器件原位电学性能监测设备，包括：真空腔体，提供器件制备及原位监测的真空环境；蒸发源，提供器件制备的原材料；检测组件，包括用于实现原位电学检测的探针、设置在真空腔体外的探针座和带动探针座移动的探针移动台，探针座与真空腔体之间设置有真空波纹管，探针安装在所述探针座上并穿过真空波纹管插入到真空腔体内。可视组件，用于观察位于真空腔体内的探针的位置，调节探针移动台使探针移动到原位电学监测点；监测仪器，与检测组件连接，获取检测组件的检测数据。本发明能够在有机半导体薄膜制备的过程中，实时原位测量有机半导体薄膜的电学信号，获得电学信号随薄膜厚度或异质结类型的实时演变。

专利名称：一种有机半导体阵列晶体的制备方法      申请号：2019101474968     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 阵列 有机半导体   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明提供了一种有机半导体阵列晶体的制备方法，包括如下步骤：在基底上施加聚合物绝缘层；在施加有所述聚合物绝缘层的所述基底上进行光刻，从而获得带有阵列式排布的周期性图形的基底；将光刻后的所述基底进行反应离子刻蚀并去胶，从而获得强极性表面与弱极性表面周期性排布的模板；将预先配置的有机小分子半导体溶液施加在所述模板上；将施加有所述有机小分子半导体溶液的所述模板放置在刮涂工具下，并按照预设速度进行刮涂，从而获得有机半导体阵列晶体。本发明采用了一种极性表面限制结晶的方法在交联的聚合物绝缘层上成功制备了单一结晶取向的有机小分子单晶阵列。

专利名称：一种协同作用可控制备有机半导体纳米线的方法      申请号：2018109887019     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 纳米材料 纳米线 半导体纳米 有机半导体   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明提供一种协同作用可控制备有机半导体材料纳米线的方法，制备步骤如下：准确称取有机半导体分子，加入良有机溶剂并超声，获得有机半导体分子有机溶剂储备溶液；按照一定体积比在室温下将有机半导体分子有机溶剂储备溶液加入到不良有机溶剂中摇匀，静置一段时间后滴在基底上，有机溶剂挥发干后获得有机单晶纳米线结构材料。本发明为简单、快捷、可控、尺寸均匀的有机单晶纳米线制备提供了一种新途径，在发展纳米尺度光电器件具有非常高的学术价值和应用前景。

专利名称：利用水-空气-有机溶剂三相界面制备有机半导体小分子单晶薄膜的方法      申请号：2016109917320     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 半导体 气 三 港口 单晶 有机半导体   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明公开了利用水‑空气‑有机溶剂三相界面制备有机半导体小分子单晶薄膜的方法，该方法主要步骤为：1）对容器内壁的表面以及辅助片的表面均作表面疏水处理；2）然后向疏水的容器内注入适当第一溶液，第一溶液形成凸液面，凸液面弧形的边缘与容器内壁之间形成狭缝；将溶有有机小分子的有机溶液加入到狭缝中，将疏水的辅助片缓慢往复插入到第一溶液中，在第一溶液液面张力和辅助片的作用下，有机溶液在第一溶液液面定向铺展，随着机溶剂不断挥发，有机小分子在第一溶液表面沉积形成有机单晶薄膜。在水面张力和外力的作用下就得到大面积、均匀、超薄有机半导体小分子单晶薄膜。

专利名称：一种有机半导体材料      申请号：2013100383697     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 有机半导体   相似专利 发布日：2023/03/27  
摘要： 本发明提供了一种有机半导体材料，所述有机半导体材料的化学式如下所示：其中，R为C1~C20的烷基，n为10~100的整数，本发明提供有机半导体材料同时具有空穴传输性质和电子传输性质，使该有机半导体材料在发光层中空穴和电子的传输平衡，还具有较高的三线态能级，三线态能级大于2.75eV，有效的防止发光过程中能量回传给主体材料，大大提高发光效率。该有机半导体材料采用了较简单的合成路线，减少了工艺流程，原材料价廉易得，制造成本得到降低。

专利名称：双极性有机半导体材料的制备方法与应用      申请号：2015101377584     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 有机半导体   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明属于光电子材料领域，公开了一种制备双极性高效有机半导体材料的方法，该方法以咔唑、二苯胺等芳香基团封端的均三嗪结构单元为基础，然后和三并咔唑通过C-N键或C-C键连接，该材料结构具有以下通式I：其中，I式中Ar为如下II结构中的一种：其中，R为C1-C30的烷基，*为连接位置；N是氮原子。本发明双极性材料制备简单，中间体成本低廉，反应过程容易控制，产品易于分离、收率高、纯度高，该材料表现出优良的热稳定性，在可溶液加工制备的有机电致发光器件中表现出优良的光谱稳定性以及高的发光效率，使其在有机电致发光和有机场效应晶体管中具有潜在应用。