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摘 要:本发明公开了一种基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器,所述基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器的结构从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、量子点薄膜层、栅绝缘层、栅电极和衬底;能够在不增加工艺复杂度并且在简单的设备制备的前提下,有效的提高器件对入射光的收集效率,增强光电转换效率,降低接触电阻和电荷隧穿势垒,从而降低对操作电压的依赖,减少能源损耗,为有机光敏存储器的商业化推广提供一种可行的思路,所述存储器结构同时改进光敏存储器的存储性能和光敏性能;所述存储器结构可采用金属铜作为器件源漏电极,降低了器件制备成本,便于推广、应用。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201610867903.9 | 专利名称: | 一种基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器及其制备方法 |
申请日: | 2016-09-29 | 申请/专利权人 | 南京邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市栖霞区栖霞街道广月路9-6号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L51/05搜分类 半导体 场效应晶体管搜索 |
公开/公告日: | 2017-03-22 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106531886A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |