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摘 要:本发明公开了一种二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料及其制备方法与应用,该材料是以二吲哚并三并咔唑作为核、富电子单元作为修饰基团的多臂结构化合物,其通式结构如下式1所示:其中,R为C1‑C30的直链或支链烷基的一种;Ar为富电子单元修饰基团。本发明的材料具有优异的热稳定性、较高的空穴迁移率、良好的溶解性以及非晶态特性,可以通过溶液法制备高质量的非晶薄膜;并且合成路线简短,产物易于分离,纯度高、产率高,在电致发光器件、有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池或有机场效应晶体管等领域具有潜在的商业应用价值。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810625813.8 | 专利名称: | 一种二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料及其制备方法与应用 |
申请日: | 2018-06-18 | 申请/专利权人 | 南京邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市栖霞区文苑路9号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C07D487/22搜分类 半导体搜索 |
公开/公告日: | 2019-12-20 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN108774238B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |