专利名称：一种用于提高钙钛矿太阳能电池稳定性的空穴传输层及其制备方法      申请号：2019106401111     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：空穴传输材料 新能源技术   相似专利 发布日：2025/09/29  

应用场景：钙钛矿太阳能电池器件制造;光伏能源产业化应用;电池稳定性优化

专利名称：一种二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料及其制备方法与应用      申请号：2018106258138     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 空穴传输材料   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明公开了一种二吲哚并三并咔唑基空穴传输材料及其制备方法与应用，该材料是以二吲哚并三并咔唑作为核、富电子单元作为修饰基团的多臂结构化合物，其通式结构如下式1所示：其中，R为C1‑C30的直链或支链烷基的一种；Ar为富电子单元修饰基团。本发明的材料具有优异的热稳定性、较高的空穴迁移率、良好的溶解性以及非晶态特性，可以通过溶液法制备高质量的非晶薄膜；并且合成路线简短，产物易于分离，纯度高、产率高，在电致发光器件、有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池或有机场效应晶体管等领域具有潜在的商业应用价值。

专利名称：一种氟代茚并融噻吩空穴传输材料及其制备方法和应用      申请号：2023116554942     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：钙钛矿太阳能电池 光伏电池 光伏储能 空穴传输材料   相似专利 发布日：2025/02/17  
摘要： 发明属于有机合成技术领域，公开了一种氟代茚并融噻吩空穴传输材料及其制备方法和应用。该空穴传输材料以氟代茚并融噻吩为外围端基，环氧噻吩为中心核。该空穴传输材料表现出优异的电导率和空穴迁移率、高质量的薄膜形态、良好的界面钝化作用以及出色的光热稳定性能。本发明的一种氟代茚并融噻吩空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中，其器件开路电压(Voc)为1.124 V，短路光电流密度(Jsc)为24.04 mA cm‑2，填充因子(FF)为0.7927，最终获得了高达21.42%的光电转化效率，同时表现出优异的器件长期稳定性，具有广阔应用价值。

专利名称：一种基于茚并[2,1-b]咔唑的免掺杂空穴传输材料及其制备方法和应用      申请号：2020100622448     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 空穴传输材料   相似专利 发布日：2025/08/11  
摘要： 本发明公开了一种基于茚并[2,1-b]咔唑的免掺杂空穴传输材料及其制备方法和在钙钛矿太阳能电池中的应用，所述空穴传输材料化学结构式如式Y3或Y4所示，所述制备方法包括如下步骤：使化合物（1）发生还原取代反应生成中间体（2）；使中间体（2）发生取代反应生成中间体（3）；使化合物（9）发生溴代反应生成中间体（10）；使中间体（10）发生烷基化反应生成中间体（11）；使中间体（11）与2-三丁基甲锡烷基噻吩发生偶联反应生成中间体（12）；使中间体（12）发生溴代反应生成中间体（13）；使中间体（3）与中间体（11）或中间体（13）发生偶联反应生成空穴传输材料Y3或Y4。

专利名称：一种含硅稠五环的空穴传输材料及其制备方法和应用      申请号：202110111778X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 空穴传输材料   相似专利 发布日：2025/08/11  
摘要： 本发明涉及有机空穴材料技术领域，公开了一种含硅稠五环的空穴传输材料及其制备方法和应用，该有机空穴材料以高度共轭、平面化的含硅稠五环为分子核，甲氧基三苯胺为外围修饰基团，化学结构式为空穴分子平面化的分子构型有助于提升空穴材料间的π‑π堆积作用，增强空穴迁移率和电导率。同时多长烷基链的结构特征赋予空穴传输材料优异的溶剂成膜性。本发明的一种含硅稠五环的空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中，其器件短路光电流密度、开路电压和填充因子分别为22.55mA cm‑2，开路电压为1.092V，填充因子0.7685，最总获得了高达18.92％的光电转化效率，显示巨大的商业应用价值。

专利名称：一种非对称空穴传输材料及其制备方法和应用      申请号：202010062233X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 空穴传输材料   相似专利 发布日：2025/08/11  
摘要： 本发明公开一种非对称空穴传输材料及其制备方法与应用，该材料是以四噻吩并吡咯为分子核，两侧分别以甲氧基三苯胺、茚并[1,2‑b]咔唑为外围修饰基团，本发明的空穴传输材料能够有效协同两侧外围修饰基团的优点，利用茚并[1,2‑b]咔唑的刚性、平面化空间构型增强空穴传输材料分子间的相互作用，提升电导率和空穴迁移率，利用甲氧基三苯胺三维扭曲空间结构抑制界面载流子复合；此外，分子对称性的降低，还能够有效提高材料的溶解成膜性能，利于得到高质量的非晶态薄膜。本发明的非对称空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中，电池器件短路光电流密度达22.98 mA cm‑2，开路电压为1.099 V，填充因子0.7923，光电转化效率高达20.01%，显示广阔的商业应用前景。

专利名称：一种芳基修饰咔唑为电子给体的空穴传输材料及其制备方法      申请号：2020103269301     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 空穴传输材料   相似专利 发布日：2025/08/11  
摘要： 本发明公开了一种芳基修饰咔唑为电子给体的空穴传输材料，化学结构式如式GR-16或GR-19所示；其制备方法包括如下步骤：使式（7）化合物发生环合反应生成中间体（8）；使中间体（8）发生取代反应生成中间体（9）；使中间体（9）与化合物（4）或化合物（6）发生偶联反应生成空穴传输材料GR-16或GR-19；所述化合物（4）是通过以下制备方法制得的：使式（1）化合物发生烷基化反应生成中间体（2）；使中间体（2）发生取代反应生成中间体（3）；使中间体（3）发生取代反应生成化合物（4）；所述化合物（6）是通过以下制备方法制得的：使中间体（2）发生取代反应生成中间体（5）；使中间体（5）发生取代反应生成化合物（6）。

专利名称：基于茚并[1,2-b]咔唑的免掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用      申请号：2020100622611     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 空穴传输材料   相似专利 发布日：2025/08/11  
摘要： 本发明涉及有机光电材料技术领域，公开了一种基于茚并[1,2‑b]咔唑的免掺杂空穴传输材料及其制备方法和应用，该材料是以茚并[1,2‑b]咔唑‑噻吩为外围电子给体单元，四噻吩并吡咯为分子核；本发明合成路线简单、制备成本低廉，可实现材料的大规模合成；所发明的材料表现出良好的溶解成膜性和优异的热稳定性能；稳态荧光光谱测试表明，该材料具有高效的空穴提取效率。本发明的基于茚并[1,2‑b]咔唑的免掺杂空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中，电池器件短路光电流密度达22.31 mA cm‑2，开路电压为1.089 V，填充因子0.7784，光电转化效率高达18.91%，显示广阔的商业应用前景。

专利名称：一种噻吩-咔唑核四臂空穴传输材料及其制备方法和应用      申请号：2020100622452     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 空穴传输材料   相似专利 发布日：2025/08/05  
摘要： 本发明公开了一种噻吩-咔唑核四臂空穴传输材料及其制备方法和应用，其以噻吩-咔唑为核，使得其HOMO能级以及LUMO能级显著高于混卤钙钛矿，能够阻挡电子从钙钛矿层跃迁至空穴传输层，有效抑制界面电子复合现象的发生；所述制备方法包括如下步骤：对碘苯甲醚与对溴苯胺偶联反应生成中间体（5）；中间体（5）与联硼酸频那醇酯取代反应生成中间体（6）；中间体（6）与2，3-二溴噻吩偶联反应生成中间体（7）；中间体（7）溴代反应生成中间体（8）；中间体（6）与3，6-二溴咔唑偶联反应生成中间体（9）；中间体（9）与中间体（8）偶联反应生成终产物CZ-1。本发明的空穴传输材料用于钙钛矿太阳能电池时，其电池器件具有较高的光电转换效率。

专利名称：一种基于四噻吩并吡咯的免掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用      申请号：2020100639434     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 空穴传输材料   相似专利 发布日：2025/04/07  
摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种基于四噻吩并吡咯的免掺杂空穴传输材料及其制备方法和应用，该材料是以四噻吩并吡咯为分子核、通过烯键与外围电子给体单元甲氧基三苯胺相连，该材料共轭程度高、分子趋于平面化，有效增强了分子间相互作用，表现出高效的电导率和空穴迁移率，且合成路线简单，收率高、制备成本低，适合大量合成。本发明的基于四噻吩并吡咯的免掺杂空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中，电池器件短路光电流密度达22.37 mA cm‑2，开路电压为1.09 V，填充因子0.7452，光电转化效率高达18.17%。

专利名称：一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料及其制备方法和应用      申请号：2021115632273     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 空穴传输材料   相似专利 发布日：2025/08/11  
摘要： 本发明公开了一种含吩嗪并二噻吩类免掺杂空穴传输材料及其制备方法及在钙钛矿太阳能电池中的应用。该类空穴传输材料以吩嗪并二噻吩为分子核，其吸电子特性能有效降低空穴分子的HOMO能级，提高电池器件的开路电压；同时其刚性平面化分子构型显著增强分子间π‑π堆积效应，提升空穴传输性能。本发明合成路线简单、成本低廉，所合成的材料具有高的光热稳定性能。将其应用于钙钛矿太阳能电池，无需掺杂即可获得19.07%的光电转化效率，具有广阔的应用前景。

专利名称：一种基于噻咯稠杂环的空穴传输材料及其制备方法和应用      申请号：2021101140288     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 空穴传输材料   相似专利 发布日：2025/08/05  
摘要： 本发明涉及空穴材料技术领域，公开了一种基于噻咯稠杂环的空穴传输材料，该空穴材料以噻咯稠杂环为中心核，噻吩‑三苯胺为外围修饰基团，化学结构式为空穴分子的多S结构特征，有助于提升空穴传输层与钙钛矿层的界面作用，增强电子‑空穴的分离与传输效率，提高空穴提取效率。本发明的含硅稠五环的空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中，其器件的光电转化效率能够高达19.41％，并且表现出高效的器件稳定性能，具有较大的商业应用价值。

专利名称：一种线性有机空穴传输材料及其制备和应用      申请号：2018110210127     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 空穴传输材料   相似专利 发布日：2025/08/05  
摘要： 本发明公开一种线性有机空穴传输材料及其制备和应用，本发明的线性有机空穴传输材料是以刚性共平面的噻吩稠杂环为母体核，其线性平面化的分子构型能有效提升空穴迁移率和导电率，该材料具有良好的溶解成膜性能和优异的光热稳定性。本发明线性有机空穴传输材料的制备方法合成路线简单、原料易得、成本低廉，应用于钙钛矿太阳能电池中时，电池器件短路光电流密度达22.31mA cm‑2，开路电压为1.094V，填充因子0.756，光电转化效率达到18.45％，提高了钙钛矿太阳能电池的效率，具有广阔的应用前景。

专利名称：一种螺二芴类空穴传输材料的结构、合成及其应用      申请号：2017100258943     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 空穴传输材料   相似专利 发布日：2025/08/11  
摘要： 本发明公开了一种螺二芴类空穴传输材料的结构、合成及其应用，该空穴传输材料为螺二芴类空穴传输材料，制备步骤为：将化合物1、螺二芴、叔丁醇钠、三叔丁基磷、三(二亚芐基丙酮)二钯和无水甲苯的混合体系在氩气保护下加热到105‑115℃，维持该温度反应10‑14小时；冷却后用乙酸乙酯萃取得有机相，有机相干燥浓缩后进行硅胶柱层析得到目的产物2,4‑spiro‑OMeTAD。本发明空穴传输材料2,4‑spiro‑OMeTAD空穴迁移率高，HOMO能级与钙钛矿价带匹配，稳定性好，溶解能力好，摩尔消光系数高，用其制成的钙钛矿太阳电池的光电转化效率高；其甲基位置的灵活变化方便后期进行结构修饰，容易实现紫外到近红外光区的光谱吸收；且商品化成本低。