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摘 要:本实用新型涉及碳化硅单晶技术领域,尤其为一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构,包括第一加热机构和第二加热机构,所述第一加热机构包括第一线圈筒,所述第一线圈筒上端固定连接有第一限位环,所述第一线圈筒下端固定连接有第四限位环,所述第一线圈筒表面缠绕有第一线圈。本实用新型中,通过设置的第一加热机构、第二加热机构、第一石墨加热器和第二石墨加热器,加热时,可以分别控制第一线圈和第二线圈进行加热调节,可以根据不同区域进行单独调节,可调节性更强。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202323377926.6 | 专利名称: | 一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构 |
申请日: | 2023-12-12 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B35/00搜分类 单晶搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 1850.0元 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |