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摘 要:本发明属于微纳米制造技术领域,具体涉及一种基于电场效应硅基内腔成形的方法,本发明基于电场耦合温度场建立硅基总自由能方程,并对方程进行数值求解及仿真分析,通过C语言编程仿真与可视化处理,观察总结基于电场效应硅基内腔成形的变化规律,为硅基内腔成形的稳定性与可控性的数值模拟提供了新的思路;解决目前硅基内腔在单一温度场作用下成形时存在形状大小不稳定,成形结构存在缺陷的问题。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010279647.8 | 专利名称: | 一种基于电场效应硅基内腔成形的方法 |
申请日: | 2020-04-10 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街1158号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G06F30/33搜分类 微纳米 硅基材料 激光加工 芯片 半导体 传感器 电子元器件搜索 |
公开/公告日: | 2023-04-28 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111488715B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |