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摘 要:本发明公开了一种基于相场和温度场控制硅基内部微结构的方法。本发明利用硅原子的热扩散运动,基于相场和温度场研究硅基内部微结构的建模方法,建立起了硅基内腔稳定成型的计算模型,并通过改变外加热场,研究硅基内腔的成型变化机理,为微谐振腔制造的数值模拟提供了一条新的思路。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201810714586.6 | 专利名称: | 一种基于相场和温度场控制硅基内部微结构的方法 |
申请日: | 2018-07-03 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街1158号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G06F30/20搜分类 微纳米 硅基材料 激光加工 芯片 半导体 传感器 电子元器件搜索 |
公开/公告日: | 2022-12-02 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109063262B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |