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摘 要:本申请属于光电材料技术领域,尤其涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。其中,铌酸锂晶体的制备方法,包括步骤:计算铌酸锂晶体生长的温度场结构;计算铌酸锂晶体的生长参数;将锂源和铌源进行混合干燥处理,得到混合原料;在空气氛围中,对混合原料进行烧结处理,得到铌酸锂多晶料块;在计算的温度场结构中,将铌酸锂多晶料块融化后,在籽晶的引导下,依据计算的生长参数,采用提拉法进行晶体生长后,得到铌酸锂晶体。本申请铌酸锂晶体的制备方法,通过模拟、推演和计算方法分别计算铌酸锂晶体的温度场结构和生长参数,然后在计算的温度场结构中,依据计算的晶体生长参数,采用提拉法进行晶体生长,显著提高铌酸锂晶体的生长效率。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202111022496.9 | 专利名称: | 铌酸锂晶体及其制备方法 |
申请日: | 2021-09-01 | 申请/专利权人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广东省深圳市南山区深圳大学城学苑大道1068号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/30搜分类 光电材料 医药中间体搜索 |
公开/公告日: | 2023-07-18 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113913937B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |