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摘 要:本实用新型公开了一种碳化硅外延设备的CVD反应模块,包括反应箱,所述反应箱的内部设置有放置盘,通过所述放置盘用于放置晶元,所述反应箱的上端面设置有进气管,所述反应箱的右侧面设置有冷风机,所述冷风机的输出端固定安装有导流管,所述导流管上设置有排风管,所述排风管的出口延伸至反应箱的内部,所述反应箱上设置有排放管。本实用新型在使用的过程中,通过在CVD反应箱上设置冷风机,利用冷风机将冷气通入到反应箱中,通过冷气对工件冷却,提高工件冷却的效率,并且吹出的冷气带动废气通过排放管快速地排出反应箱外,通过在排放管的尾部设置废气处理组件,从而有效地去除废气中的有害物质,避免CVD反应箱排放的废气造成空气污染。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202322856855.1 | 专利名称: | 一种碳化硅外延设备的CVD反应模块 |
申请日: | 2023-10-24 | 申请/专利权人 | 湖北锦瓷新材料科技有限公司 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 湖北省孝感市孝南区长兴四路三里创业园2号厂房 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C30B29/36搜分类 CVD搜索 |
公开/公告日: | 2024-09-10 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN221681262U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2024/09/10 | 授权 |