专利名称：一种碳化硅外延设备的CVD反应模块      申请号：2023228568551     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： CVD   相似专利 发布日：2024/08/02  
摘要： 本实用新型公开了一种碳化硅外延设备的CVD反应模块，包括反应箱，所述反应箱的内部设置有放置盘，通过所述放置盘用于放置晶元，所述反应箱的上端面设置有进气管，所述反应箱的右侧面设置有冷风机，所述冷风机的输出端固定安装有导流管，所述导流管上设置有排风管，所述排风管的出口延伸至反应箱的内部，所述反应箱上设置有排放管。本实用新型在使用的过程中，通过在CVD反应箱上设置冷风机，利用冷风机将冷气通入到反应箱中，通过冷气对工件冷却，提高工件冷却的效率，并且吹出的冷气带动废气通过排放管快速地排出反应箱外，通过在排放管的尾部设置废气处理组件，从而有效地去除废气中的有害物质，避免CVD反应箱排放的废气造成空气污染。

专利名称：一种MPCVD装置用托盘      申请号：202322757897X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： CVD   相似专利 发布日：2024/07/11  
摘要： 本实用新型涉及MPCVD技术领域，并公开了一种MPCVD装置用托盘，包括托盘本体，所述托盘本体的底面固定连接有支撑座，所述托盘本体上开设有开槽，所述开槽的内部设置有加热组件，所述支撑座上设置有与加热组件配合使用的供热组件，所述托盘本体上还设置有反馈组件。本实用新型所提出的托盘取代了传统的MPCVD托盘结构，避免出现托盘底部的原料无法充分受热的情况出现，保证开槽内原料的受热均匀度，进而保证成品的质量，其次，能够避免加热组件对开槽内底部持续加热而出现的开槽内底部温度过高的情况出现，进一步保证装置对于原料的加工效果。

专利名称：一种MPCVD法制备石墨烯包覆Co3O4粉体的方法      申请号：2018102027632     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：石墨烯 CO P 港口 CVD   相似专利 发布日：2023/10/23  
摘要： 本发明涉及一种MPCVD法制备石墨烯包覆Co3O4粉体的方法，属于微波等离子与复合材料技术领域。将Co3O4基底粉体平铺，抽真空至压强1mTorr以内，然后Ar、H2、CH4按照气体流量比为9:10:1～5通入，保持压强为1～90Torr，开启微波等离子体，在温度为300～500℃下沉积反应30～120min，反应结束后，切断CH4气体，保持通入非氧化气体冷却至室温后关闭非氧化气体，抽真空至压强为1mTorr，通入空气至常压得到石墨烯包覆Co3O4粉体。本发明制备过程中采用Co3O4粉体为镀覆基体，制备得到的石墨烯包覆Co3O4粉体，与常规石墨烯包覆复合粉体材料相比，本发明的石墨烯包覆Co3O4粉体中石墨烯为少层鳞片状石墨烯，包覆均匀性好。

专利名称：一种微通孔Cu基CVD金刚石热沉片及其制备方法      申请号：2019109640805     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：通孔 C 微 微生物采样 CVD   相似专利 发布日：2023/08/21  
摘要： 本发明公开了一种微通孔Cu基CVD金刚石热沉片及其制备方法，从下至上依次包括Cu基底、金属过渡层和CVD金刚石薄膜，Cu基底上阵列分布有直径0.3～0.5mm，间距2～3mm的微通孔，金属过渡层的表面静电组装金刚石纳米颗粒。本发明散热效果优于Ag、Cu、Al等传统热沉片，提高了金刚石薄膜和Cu金属基底之间的粘附性，以及金刚石的形核密度；微通道Cu基金刚石热沉片散热性能更优。

专利名称：一种CVD尾气过滤设备     申请号：2023204763942     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：C 港口 CVD   相似专利 发布日：2023/11/14  

专利名称：一种金刚石微通道Cu基CVD金刚石热沉片及其制备方法      申请号：2019109641189     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：C 微 微生物采样 CVD   相似专利 发布日：2022/11/07  
摘要： 本发明公开了一种金刚石微通道Cu基CVD金刚石热沉片及其制备方法，从下至上依次包括Cu基底、微通孔模板和CVD金刚石薄，Cu基底和微通孔模板之间设置有纳米金刚石颗粒，Cu基底中镶嵌有金刚石微通道阵列，金刚石微通道的直径为0.3～0.5mm，微通道间距2～3mm。本发明散热效果优于Ag、Cu、Al等传统热沉片；微通道Cu基金刚石热沉片散热性能更优；大大提高了微通孔内金刚石的形核密度和生长速率；在微通孔内实现了金刚石薄膜CVD选择生长。