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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202110344123.7 | 专利名称: | 一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂及其制备方法 |
申请日: | 2021-03-31 | 申请/专利权人 | 桂林理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 广西壮族自治区桂林市建干路12号桂林理工大学 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25B11/091分类检索 化工、助剂 电催化剂及其制备 纳米专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2021-07-23 | 转让价格: | 面议 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN113151858A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明提供了一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法,包括以下步骤:(1)以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源,采用气相沉积法,在导电基底上沉积二硫化锡,获得SnS2纳米片;(2)将上述SnS2纳米片采用CVD法进行掺杂,以次亚磷酸钠为掺杂P源,将次亚磷酸钠放置在上游加热区中心的烧舟中,并将装有硫粉的烧舟紧贴着次亚磷酸钠的烧舟,将制备好的SnS2纳米片置于干净的烧舟上,并放置在下游加热区的中心;在氩气氛围中,加热升温,保温一段时间,冷却到室温后,得到P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化电极材料。本发明方法制得的P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂电极材料具有较高的光电催化析氧活性和稳定性。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |