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摘 要:本发明涉及一种锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型,其包括本征低温NPN晶体管单元、寄生衬底PNP晶体管单元、衬底匹配网络单元、基区‑发射区寄生等效电路单元、基区‑集电区寄生等效电路单元、集电区等效电阻、发射区等效电阻和寄生基区等效电阻,集电区等效电阻两端设有集电极端和第一集电区端,发射区等效电阻RE两端设有发射极端和第一发射区端,寄生基区等效电阻两端设有第一基区端和基极端。本发明借助NPN晶体管和PNP晶体管提出的等效电路模型,能精确反映低温环境下锗硅异质结双极晶体管器件物理本质,准确模拟器件低温特性,适用于极端条件下模拟高频集成电路的仿真设计。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202211103655.2 | 专利名称: | 锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型 |
申请日: | 2022-09-09 | 申请/专利权人 | 燕山大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 河北省秦皇岛市河北大街西段438号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02搜分类 冰箱冰柜 硅 锗 低 港口 电路 电路模型搜索 |
公开/公告日: | 2023-11-24 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN116314174B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |