专利名称：一种电工培训用低压电路模型      申请号：2023228115674     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：电子 电路 电路模型   相似专利 发布日：2024/07/30  
摘要： 本实用新型涉及电路模型技术领域，公开了一种电工培训用低压电路模型，包括收纳盒，所述收纳盒内腔的顶部设置有固定板，所述收纳盒与固定板之间设置有翻转机构，所述翻转机构包括限位板、支撑架、限位柱、限位杆、第一连接杆、第二连接杆和转轴，所述收纳盒内腔的两侧固定安装有限位板，所述限位板的一侧设置有第一限位槽与第二限位槽；本实用新型通过收纳盒和翻转机构，可以将电路模型本体放入收纳盒内进行收纳，避免电路模型本体长期放置在外部，电路模型中的金属部件可能会受到氧化和腐蚀的影响，从而导致电路模型失效，影响电路模型本体使用寿命，且大部分的电路模型都是固定在一个地方，不便于携带到其他地方进行教学。

专利名称：一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型      申请号：2020102190805     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子 电路 电路模型   相似专利 发布日：2024/07/05  
摘要： 本发明公开了一种复合应变Si/SiGe异质结双极晶体管大信号等效电路模型，属于半导体集成电路技术领域，包括本征NPN晶体管单元，寄生衬底PNP晶体管单元，衬底匹配网络单元，BC寄生等效电路单元，BE寄生等效电路单元，以及发射区、基区和集电区寄生等效电阻。本发明能精确反映异质结双极晶体管器件物理本质，准确的模拟器件特性，且参数少、提取过程简单，同时可以将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件，适用于模拟高频集成电路仿真设计。

专利名称：锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型      申请号：2022111036552     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：冰箱冰柜 硅 锗 低 港口 电路 电路模型   相似专利 发布日：2024/07/05  
摘要： 本发明涉及一种锗硅异质结双极晶体管低温大信号等效电路模型，其包括本征低温NPN晶体管单元、寄生衬底PNP晶体管单元、衬底匹配网络单元、基区‑发射区寄生等效电路单元、基区‑集电区寄生等效电路单元、集电区等效电阻、发射区等效电阻和寄生基区等效电阻，集电区等效电阻两端设有集电极端和第一集电区端，发射区等效电阻RE两端设有发射极端和第一发射区端，寄生基区等效电阻两端设有第一基区端和基极端。本发明借助NPN晶体管和PNP晶体管提出的等效电路模型，能精确反映低温环境下锗硅异质结双极晶体管器件物理本质，准确模拟器件低温特性，适用于极端条件下模拟高频集成电路的仿真设计。

专利名称：一种配电变压器绕组匝间绝缘劣化的等效电路模型      申请号：2020111560549     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电力 变压 配电变压器 电路 电路模型   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 一种配电变压器绕组匝间绝缘劣化的等效电路模型，属于变压器绕组故障在线监测技术领域。包括配电变压器的高压绕组和低压绕组，其特征在于：高压绕组和低压绕组分别等效为第一电路和第二电路，在低压绕组的任意一相中连接有用于表示该相匝间绝缘劣化状态的第三电路。在本配电变压器绕组匝间绝缘劣化的等效电路模型中，将配电变压器的高压绕组和低压绕组分别等效为第一电路和第二电路，在第二电路的任意一相中设置用于表示该相匝间绝缘劣化状态的第三电路，并可通过改变第三回路中的绝缘电阻阻值，重现配电变压器绕组匝间绝缘劣化过程，便于仿真分析各性能参数的变化规律，寻找匝间绝缘状态的诊断方法。

专利名称：基于磷酸铁锂动力电池阻抗谱的复参数电路模型及方法      申请号：2017101090028     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电池 动力电池 电路 电路模型   相似专利 发布日：2023/09/20  
摘要： 本发明公开了一种基于磷酸铁锂动力电池阻抗谱的复参数电路模型及方法，引进了复参数电感元件L*，复参数电容C*和常相位角元件CPE三个元件，并通过建立它们的阻抗表达式来建立模型在低频段、中频段、高频段与阻抗谱的拟合图，得到了精度更高、误差更小的复参数电路模型与实测阻抗谱拟合图，由拟合图可以得到复参数电容C*和电荷转移电阻Rct2并联而成的复合元件在阻抗复平面上体现为一段压扁的半圆弧，并且半圆弧的压扁程度可随着相角变化而调整，与理想等效电容与电阻并联而成的复合元件所体现的完整的半圆相比，更切合实际所测得的阻抗谱中频特性，也就显著提高了模型在中频段的拟合精度。

专利名称：基于等效电路模型的三重化线电压级联型变换器控制方法      申请号：2012102015144     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子 变换器 三 港口 电路 电路模型   相似专利 发布日：2023/09/14  
摘要： 一种基于等效电路模型的三重化线电压级联型变换器控制方法：1）载波移相式空间矢量脉宽调制；2）建立三重化LVC-VSC等效开关电路模型；3）基于等效开关电路模型的三重化线电压级联型变换器控制系统设计，是根据第2）阶段所建立的d-q两相旋转坐标系下的等效开关电路数学模型，构建基于该模型的三重化线电压级联型变换器控制系统，控制系统的设计包括：电压控制外环的设计、均压补偿控制环的设计和电流控制内环的设计。本发明节省了计算资源，降低了控制器设计难度，且便于实现闭环控制；保证了各个直流侧电压的均等，该均压方式控制简单，计算方便；提高了系统的可靠性，减少了电网电流中的谐波含量。

专利名称：一种Ge/Si SACM结构雪崩光电二极管的等效电路模型建立方法      申请号：2015102046292     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子元器件 C 建立 电路 电子设备和元器件 电路模型   相似专利 发布日：2023/07/10  
摘要： 本发明涉及一种Ge/Si SACM结构雪崩光电二极管的等效电路模型建立方法，属于半导体光电二极管技术领域。该方法基于Ge/Si异质结特性，从器件内部的物理机理上对Ge/Si SACM‑APD器件进行理论分析，从APD速率方程、噪声电流、暗电流和寄生参量四部分来建立APD的等效电路模型，包括以下步骤：1)将物理模型分解为多个部分，根据每一层结构构造载流子输运方程；2)构造对应于每一部分的子电路模块；3)互联这些子电路模块，建立等效电路模型。采用本方法可以很方便地对硅基APD器件进行模拟与设计，具有较好的应用前景。

专利名称：一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法      申请号：2018112882858     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子 C IC F 电路 电路模型   相似专利 发布日：2023/09/20  
摘要： 本发明公开了一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，建立SiCMOSFET仿真电路模型，对SiCMOSFET仿真电路模型进行双脉冲电路仿真测试，得到仿真双脉冲测试电压电流波形图；根据SiCMOSFET仿真电路模型建立SiCMOSFET实际电路，对SiCMOSFET实际电路进行双脉冲电路测试，得到实际双脉冲测试电压电流波形图；调整门极‑漏极电容Cgd、门极‑源极电容Cgs、阈值Vth、跨导gf和源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成。本发明有效提高SiCMOSFET仿真电路模型的精确性。