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摘 要:本实用新型公开了一种大功率发光半导体器件,包括上壳体,所述上壳体的下方设置有下壳体,所述上壳体的底部设置有芯片,所述芯片上设置有激光器,激光器的右侧设置有左透镜、右透镜,所述左透镜与右透镜之间设置有隔离器,所述右透镜的右侧设置有光纤,所述芯片的底部设置有半导体制冷片,所述半导体制冷片下方设置有自然散热装置和风冷装置,所述自然散热装置包括一组固定连接在半导体制冷片下端面上的散热片,所述风冷装置包括设置在下壳体左侧壁上的风扇。本实用新型设计合理,结构简单,散热性能好。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202023337865.7 | 专利名称: | 一种大功率发光半导体器件 |
申请日: | 2020-12-31 | 申请/专利权人 | 昆山慕仕达光电科技有限公司 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 江苏省苏州市昆山市玉山镇城北莫家路181号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01S5/024搜分类 半导体 器件搜索 |
公开/公告日: | 2021-07-30 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN213845832U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |