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摘 要:本发明涉及压力变送器领域,公开了一种单晶硅压力变送器温度补偿改进方法。将温度传感器封装在单晶硅压力传感器内部,通过单晶硅压力传感器获取变送器的压力数据;通过温度传感器获取单晶硅压力变送器的温度数据;调整变送器零点,校准压力测量与输出下限。对数据进行预处理,利用插值运算法和查表法,对压力数据以及温度数据进行补偿运算,得到压力和温度数据矩阵;基于压力和温度数据矩阵,利用曲线拟合算法得到补偿模型,进一步利用补偿模型进行变送器的温度自动补偿。与现有技术相比,本发明通过对变送器采集的数据进行标定、分析、拟合,来实现通过温度补偿降低变送器的精度影响因素,同时达到温度自动补偿的效果。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202310346490.X | 专利名称: | 一种单晶硅压力变送器的温度补偿改进方法 |
申请日: | 2023-04-03 | 申请/专利权人 | 淮阴工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省淮安市经济技术开发区枚乘东路1号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G01L19/04搜分类 单晶搜索 |
公开/公告日: | 2023-09-29 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN116296047B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |