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摘 要:本发明公开了一种可抗高电压的薄膜压力传感器及其制备方法,包括基底、苯乙酮改性SiO2薄膜绝缘层、应变电阻层和引线膜,绝缘层设置在基底上,应变电阻层设置在绝缘层上,引线膜设置在应变电阻层上,苯乙酮改性SiO2薄膜的厚度为0.6‑0.8mm,苯乙酮改性SiO2薄膜与基底的结合力为30‑50mN,制备方法包括以下步骤,提供基底,脉冲激光沉积法在基底上沉积苯乙酮改性SiO2薄膜绝缘层;在绝缘层上制作第一光刻胶,以第一光刻胶为掩模,采用多元素靶材通过脉冲激光沉积法在绝缘层上沉积应变电阻层;通过脉冲激光沉积法在应变电阻层上沉积引线膜。本发明能够能够克服现有技术中的薄膜压力传感器在受到高电压时,容易给电流击穿,抗交流能力较低的问题。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910238516.2 | 专利名称: | 一种可抗高电压的薄膜压力传感器及其制备方法 |
申请日: | 2019-03-27 | 申请/专利权人 | 重庆城市管理职业学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 重庆市沙坪坝区虎溪大学城南二路151号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 关键词: | 塑料 相似专利 |
公开/公告日: | 2021-05-11 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110108397B | 交易状态: | 等待洽谈 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(最新年检需盖公章)与组织机构代码副本复印件(需盖公章)一个专利各一份 | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利协议(需盖公章)一式两份 | 专利协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(最新年检需盖公章)组织机构代码副本复印件(需盖公章)一个专利各一份 | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利协议(需盖公章)一式两份 | 专利协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权未下证) | 专利证原件(若授权未下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |