发明专利 已授权

一种可抗高电压的薄膜压力传感器及其制备方法

📄 申请号:CN201910238516.2 📄 发布日:2025/09/22

著录项目信息

申请日
2019-03-27
公开号
CN110108397B
公开日
2021-05-11
申请人
重庆城市管理职业学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

工业自动化, 电力设备监测, 智能电网, 汽车电子, 机器人触觉感知

摘要

本发明公开了一种可抗高电压的薄膜压力传感器及其制备方法,包括基底、苯乙酮改性SiO2薄膜绝缘层、应变电阻层和引线膜,绝缘层设置在基底上,应变电阻层设置在绝缘层上,引线膜设置在应变电阻层上,苯乙酮改性SiO2薄膜的厚度为0.6‑0.8mm,苯乙酮改性SiO2薄膜与基底的结合力为30‑50mN,制备方法包括以下步骤,提供基底,脉冲激光沉积法在基底上沉积苯乙酮改性SiO2薄膜绝缘层;在绝缘层上制作第一光刻胶,以第一光刻胶为掩模,采用多元素靶材通过脉冲激光沉积法在绝缘层上沉积应变电阻层;通过脉冲激光沉积法在应变电阻层上沉积引线膜。本发明能够能够克服现有技术中的薄膜压力传感器在受到高电压时,容易给电流击穿,抗交流能力较低的问题。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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