发明专利已授权

一种离子插层剥离MoS2获得片状结构的方法

📄 申请号：CN202310106381.0 📄 发布日：2026/07/15

著录项目信息

申请日

2023-02-13

公开号

CN115959708A

公开日

2023-04-14

申请人

赵秀风

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C01G39_06

IPC 分类号

C01G39_06 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

二维材料二维材料离子插层剥离纳米材料制备

应用场景

电子器件, 催化剂, 储能材料, 润滑材料, 传感器

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摘要

本发明公开了一种离子插层剥离MoS2获得片状结构的方法，采用CsCl和乙酰丙酮锌作为插层剂，主要负责提供Zn2+和Cs+，从而进入MoS2的层间之中。另外羧甲基纤维素钠的使用会提高溶液的粘稠度，以防止MoS2的团聚在水热反应的高温过程中，同时会更容易打开M，高温会加速oS2的层间结构Zn2+，和使其有利于Cs+的还原剥离，削弱。MoS2层间的范德华力。与此同时，高温会与羧甲基纤维素钠产生协同作用，有利于其接触角变小，从而增加层间电子数，更有利于和Cs剥离+，从而达到保护MoS2。水热后的MoS2真空过滤会去除的晶体结构。溶液中多余的Zn2+

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20241122

✅ 授权

20230502

?? 实质审查的生效：

20230414

📄 公开

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