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摘 要:本发明公开了一种SnS2‑xOx/CC纳米片阵列的制备方法及应用,包括:将SnCl4·5H2O和硫代乙酰胺加入水中,搅拌混合均匀,得到混合液;将混合液和碳纸转移到聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压釜中,在水热反应,反应完毕后,自然冷却至室温,收集产物,分别用纯水和乙醇洗三次,真空干燥,得到SnS2/CC;将SnS2/CC加入马弗炉中,煅烧,得到SnS2‑xOx/CC纳米片阵列。本发明制备了具有表面氧改性的SnS2纳米片阵列,用于将CO2电还原为甲酸盐和合成气(CO和H2);表面注氧工程实现了Sn活性位点的暴露和最佳的Sn电子态,从而增强了CO2的吸附和活化。SnS2纳米片上的表面注氧显着提高了CO2还原为甲酸盐和合成气(CO和H2)的电催化活性。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110892651.6 | 专利名称: | 一种SnS2-xOx/CC纳米片阵列的制备方法及应用 |
申请日: | 2021-08-04 | 申请/专利权人 | 西南科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 四川省绵阳市涪城区青龙大道中段59号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25B11/054搜分类 C Sn CC 阵列 纳米搜索 |
公开/公告日: | 2023-05-19 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN113549949B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |