发明专利 已授权

一种草酸盐纳米片阵列薄膜电极的制备方法

📄 申请号:CN201811186738.6 📄 发布日:2026/08/04

著录项目信息

申请日
2018-10-12
公开号
CN109267090B
公开日
2019-08-23
申请人
重庆理工大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

所属领域

应用场景

储能电池, 超级电容器, 电催化, 电化学传感器, 电解水

摘要

本发明公开了一种草酸盐纳米片阵列薄膜电极的制备方法,所述草酸盐纳米片阵列薄膜电极包括导电基片和附着于所述导电基片表面的草酸盐纳米片阵列薄膜。本发明的草酸盐纳米片阵列薄膜电极以草酸镍或草酸钴为活性材料,同步完成活性材料的制备及活性材料与导电基体的结合,简化传统粉体电极材料的组装步骤,制备工艺简单便捷,得到的草酸盐纳米片阵列薄膜高度有序,具有垂直于导电基体表面取向生长的特点,形成的多孔通道和有序物理结构有利于电解液和电子扩散与迁移。本发明的草酸盐纳米片阵列薄膜电极电化学活性高,可直接作为超级电容器的电极材料或电解水用催化材料。

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