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摘 要:本发明公开了一种草酸盐纳米片阵列薄膜电极的制备方法,所述草酸盐纳米片阵列薄膜电极包括导电基片和附着于所述导电基片表面的草酸盐纳米片阵列薄膜。本发明的草酸盐纳米片阵列薄膜电极以草酸镍或草酸钴为活性材料,同步完成活性材料的制备及活性材料与导电基体的结合,简化传统粉体电极材料的组装步骤,制备工艺简单便捷,得到的草酸盐纳米片阵列薄膜高度有序,具有垂直于导电基体表面取向生长的特点,形成的多孔通道和有序物理结构有利于电解液和电子扩散与迁移。本发明的草酸盐纳米片阵列薄膜电极电化学活性高,可直接作为超级电容器的电极材料或电解水用催化材料。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811186738.6 | 专利名称: | 一种草酸盐纳米片阵列薄膜电极的制备方法 |
申请日: | 2018-10-12 | 申请/专利权人 | 重庆理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 重庆市巴南区红光大道69号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | C25B11/04搜分类 纳米材料搜索 |
公开/公告日: | 2019-08-23 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109267090B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |