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24小时咨询热线摘 要：本发明公开了一种基于寄生体二极管导通损耗调节的结温平滑控制方法及系统，通过评估MOSFET芯片稳态运行时平均结温；判断平均结温和/或基频结温波动幅度的改变量是否发生变化，如果否，则无需采取结温控制措施；如果是，则采取结温控制措施，所述结温控制措施是改变寄生体二极管的持续电流时间；评估MOSFET芯片的实际平均结温，直到实际平均结温符合预设阈值，结束结温控制措施。本发明提出的基于寄生体二极管导通时间调节的SiC MOSFET的结温控制方法，通过控制MOSFET寄生体二极管的导通时间，在不增加其他辅助器件的基础上，可以实现器件结温波动的平滑控制，同时提高器件的可靠性，增加器件的使用寿命，降低了器件使用成本。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN202110700584.3 | 专利名称： | 基于寄生体二极管导通损耗调节的SiCMOSFET结温平滑控制方法及系统 |
| 申请日： | 2021-06-23 | 申请/专利权人 | 桂林电子科技大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 广西壮族自治区桂林市市辖区金鸡路1号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H02M1/088搜分类 电子元器件 C IC F 电子设备和元器件搜索 |
| 公开/公告日： | 2021-09-24 | 转让价格： | 面议 |
| 公开/公告号： | CN113437857A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2022/12/20 | 授权 | |
| 2021/10/15 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H02M 1/088 专利申请号: 202110700584.3 申请日: 2021.06.23 |
| 2021/09/24 | 公开 |
