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摘 要:一种双向限流器件,由下电极、介质层和上电极组成并构成叠层结构,其中介质层为氧化钒薄膜和氧化铜薄膜叠层结构;其制备方法是,首先以硅片为衬底制备二氧化硅绝缘层,再利用离子束溅射的方法制备Ti粘附层;在Ti粘附层上采用磁控溅射工艺或蒸发工艺制备下电极;在下电极上采用磁控溅射或热氧化的方法制备氧化铜薄膜;在氧化铜薄膜上采用直流溅射或射频溅射法沉积氧化钒薄膜;在氧化钒薄膜上采用磁控溅射工艺或电子束蒸发工艺制备上电极。本发明的优点是:该双向限流器件介质层为氧化钒/氧化铜叠层结构,具有双向限流特性,该器件可应用在阻变存储器领域,通过与阻变存储器件串联,可以作为单极性的选择器件或双极性的限流器件。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201410078446.6 | 专利名称: | 一种双向限流器件及其制备方法 |
申请日: | 2014-03-05 | 申请/专利权人 | 天津理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 天津市西青区宾水西道391号天津理工大学主校区 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/24搜分类 器件搜索 |
公开/公告日: | 2014-05-14 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN103794621A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2016/09/07 | 授权 | |
2014/06/11 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 27/24 专利申请号: 201410078446.6 申请日: 2014.03.05 |
2014/05/14 | 公开 |