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摘 要:一种用于硫系相变材料的化学机械抛光方法,步骤为:1)先对硫系相变材料粗抛,以快速去除镶嵌结构中通孔之外大量多余的硫系化合物;2)然后对粗抛后的硫系相变材料继续进行超精细抛光,以将剩余的通孔之外的硫系化合物去除并露出最终的通孔阵列结构;该抛光方法的抛光液,包括用于粗抛的抛光液A和用于超精细抛光的抛光液B,由纳米研磨料、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂、助清洗剂和溶剂混合组成。本发明的优点:抛光效率高、抛光后表面平整无划痕、工艺简单易行、能够很好的防止过抛,从而提高了基于镶嵌结构制造的相变存储器性能的稳定性和产品的优良率,降低了成本。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201110320251.4 | 专利名称: | 一种用于硫系相变材料的化学机械抛光方法 |
申请日: | 2011-10-20 | 申请/专利权人 | 天津理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 天津市南开区红旗南路延长线天津理工大学主校区 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | B24B1/00搜分类 化工机械 机械抛光 机械制造搜索 |
公开/公告日: | 2014-03-19 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN102441819B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |